نتایج جستجو برای: فرایند اسپین

تعداد نتایج: 36248  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فرزانه کشاورز f keshavarz department of physics, faculty of sciences, university of shahrekord, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد حمید مصدق h mosadeq department of physics, faculty of sciences, university of shahrekord, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

در این تحقیق اثر برهم کنش های چهار اسپینی بین اسپین های همسایه اول و دوم شبکه لانه زنبوری بر روی سیمای فاز مدل هایزنبرگ پادفرومغناطیس اسپین با برهم کنش های دو اسپنی بین همسایه های اول و دوم مورد مطالعه قرار گرفته است برای نزدیک کردن مدل اسپینی مؤثر برای شبکه لانه زنبوری به مدل هابارد باید علاوه بر برهم کنش های دو اسپینی برهم کنش های چند اسپنی را نیز در نظر بگیریم. در این تحقیق اثر برهم کنش های ...

در کار حاضر، ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ترکیب گالیم بیسموت در فازهای تحت فشار سزیم‌کلرید و سنگ‌نمکی بررسی شده است. محاسبات ابتدا به‌ساکن در چارچوب نظریة تابعی‌چگالی و با تکنیک شبه‌پتانسیل، با استفاده از بستة محاسباتی کوانتوم اسپرسو انجام شده است. محاسبات به‌صورت نسبیتی همراه با برهم‌کنش اسپین ـ مدار صورت گرفته است. نتایج به‌دست آمده بیانگر این است که گالیم بیسموت در این فازها، فلز است...

ژورنال: آموزش و ارزشیابی 2016

هدف پژوهش حاضر بررسی ویژگی‌های روان‌سنجی (پایایی و روایی) و هنجاریابی مقیاس تجارب عاطفی مثبت و منفی اسپین در نمونه‌ای متشکل از 401 دانش‌آموز دختر پایه سوم دبیرستان‌های دولتی تهران در سال تحصیلی 1394-1393 با روش نمونه‌گیری خوشه‌ای چند مرحله‌ای براساس فرمول تعیین حجم نمونه کوهن و همکاران(2001) انجام شده است. جهت بررسی ویژگی‌های روان‌سنجی از ضریب آلفای کرونباخ، روایی همزمان(مقیاس عواطف مثبت و منفی...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

حمیدرضا امامی پور

در این مقاله، همزیستی میان ابررسانایی و فرومغناطیس را در یک ابررسانای فرومغناطیس مورد مطالعه قرار می‌دهیم. ابررسانای فرومغناطیس را در دو حالت جفتی اسپین پادموازی و اسپین موازی در نظر می‌گیریم و با استفاده از معادلات وابسته به اسپین بوگولیوبوف-دژن، تابعیت دمایی (T) پارامتر نظم ابررسانایی را به­دست می‌آوریم. همچنین وابستگی پارامتر نظم به میدان تبادلی ابررسانای فرومغناطیس (h) را نیز به­دست آورده و...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1357

منظور از این مقاله بدست آوردن معادلاتی است موجی از رتبه اول بصورت (-irm am +m)t=0 که در آنها ضرایب mm ماتریسهائی مربعی ثابت هستند. این معادلات را برای توابعی موجی (t ها) با شانزده مولفه که بر مبنای (1 و 1.2)+(0 و 1.2)+(1.2 و 0)+1.2 و 1) از گروه لورنتس تبدیل می پذیرند. شرایط را بطوری برقرار می کنیم که این معادلات ذراتی را با جرم و اسپین منحصر به فرد توصیف نموده از یک لاکرانژین مشتق شوند. موضوع ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم پایه 1393

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات سیلیسنی سیلیسن نرمال / سیلیسن فرومغناطیس / سیلیسن نرمال که یک الکترود به سیلیسن فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از سیلیسن فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با طول سیلیسن فرومغناطیس رابطه دارد و قابل تنظیم باولتاژ گیت است. به طور خاص یک جریان اسپین به دست می آوریم که...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم 1392

در این پژوهش، ترابرد کوانتومی را در اتصال ابررسانا/فلز‎‎ نرمال بررسی نموده ایم؛ که ابررسانا از نوع‎ p-wave ‎ و فلز نرمال‎‎‏، گاز الکترونی دو بعدی است. ما اثر جفت شدگی اسپین-مدار راشبای موجود در فلز نرمال و در سطح مشترک را بر رسانش الکتریکی مطالعه نموده ایم. ‎‎در فصل یک به کلیاتی در مورد جفت شدگی اسپین-مدار و انواع آن پرداخته ایم. فصل دو را به مروری بر ابررسانایی اختصاص داده ایم. بازتاب آندریف ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم پایه 1389

این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هستند برای استفاده در فناوری اسپینترونیک پیشنهاد شده است. یک کاندیدای مناسب برای چنین کاربردهایی، تک لایه ای از اتم های ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید