مطالعه رسانایی الکتریکی در سیستم های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسائل در فیزیک نانو ساختار است. در سالهای اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطه‏های کوانتومی، سیم‏های کوانتومی و سیم‏های مولکولی وجود داشته است. در اکثر موارد به منظور بررسی رسانش، رسانایی به روش لانداور محاسبه می شود. این روش بیان می کند که رسانایی یک سیستم تک کاناله در دمای صفر و بایاس صفر درست برابر ضریب رسانش اس...

فناوری¬های نوین هم¬اکنون سهم چشمگیری را در پیشرفت صنایع شیشه¬سازی به خود اختصاص داده¬اند. امروزه توجه بسیاری از کارخانجات و صنایع گوناگون مرتبط به استفاده از این فناوری¬ها برای گسترش دادن شیشه هوشمند، هر چه بیشتر از پیش شده است. بررسی شیشه¬های هوشمند که برتری¬های شایان توجهی نسبت به سایر شیشه¬ها دارند، از اهمیت ویژه¬ای برخوردار است. در این پایان نامه نخست ویژگی¬های عمده شیشه را برشمردیم و سپس م...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست با فرض برهمکنش نزدیک ترین همسایه به بررسی رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک نانو بلور نامتناهی با ساختار مکعبی ساده شامل یک بار یا دوقطبی الکتریکی واقع در سطح مقطع آن می پردازیم. نتایج نشان می دهد که با انتقال بار الکتریکی از مرکز به سمت سطح نانو بلور، ضریب عبور سامانه افزایش می یابد درحالی که انتقال دوقطبی از مرکز به سمت سطح نانو بلور...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این مقاله ضریب عبور الکترونی یک حلقه بنزنی متصل به دو هادی فلزی را در اتصال های پارا و متا، در حضور برهمکنش الکترون ـ الکترون (مدل هابارد) محاسبه می کنیم. برای این منظور از روش تابع گرین و رهیافت تنگ بست در تقریب نزدیک ترین همسایه بهره می جوییم. سپس با توجه به شکل برهمکنش، رسانش را با یک روش عددی خودسازگار به صورت تابعی از انرژی به دست می آوریم. نتایج نشان می دهد که در حضور برهمکنش الکترون ـ...

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

طی سال های اخیر استفاده از آشکارسازهای مادون قرمز حرارتی به خاطر سهولت ساخت و حساسیت مناسب آن، مورد توجه خاصی قرار گرفته است. یکی از مناسب ترین این آشکارسازها میکروبالومترها هستند که کاربردهای روز افزونی در صنایع نظامی و غیر نظامی پیدا کرده اند. کیفیت کارکرد این آشکارسازها وابستگی شدیدی به پارامترهای ساختاری آن دارد به طوری که با شناخت و انتخاب بهینه این پارامترها می توان کارایی این آشکارسازها ...

بر اساس تجربه ثابت شده است که استفاده از یک گاز بی اثر به جای هوا در یک محفظه ی بسته، اتلافات حرارتی از طریق فضای محفظه را کاهش می دهد. کاربرد این پدیده در پنجره های دو جداره و پر شده از گاز بی اثر می باشد. از طرفی شبیه سازی عددی بر روی گاز درون یک محفظه نشان می دهد که با کاهش فشار گازهای بی اثر درون محفظه، انتقال حرارت و اتلافات حرارتی از محفظه نسبت به حالتی که فشار هوا در درون محفظه کاهش یابد...

نانو ذرات اکسید مس و اکسید آلومینیوم به دلیل کاربرد های زیادی که در تصویر برداری زیستی دقیق ، حسگرهای شیمیایی ، نانوسیالات و پزشکی دارند مورد توجه فراوانی هستند. تاکنون چندین روش فیزیکی و شیمیایی مثل سل ژل، الکترواکسیداسیون، گداخت لیزری، قوس الکتریکی در تهیه این نانوذرات گزارش شده است. در این مطالعه، به روش قوس الکتریکی و توسط یک رآکتور فولادی ضد زنگ نانو ذرات اکسید مس و اکسید آلومینیوم تهیه شد...