نمونه های تک فاز چند بلوریgd1-xprxba2cu3o7-δ  با استوکیومتری 0.15, 0.10, 0.05=x با روش استاندارد واکنش حالت جامد, ساخته و با انجام آزمایشهای xrd و sem مشخصه یابی شدند. اندازه گیریهای مقاومت ویژه, اثر هال و مقاومت مغناطیسی بر روی این نمونه ها انجام شد. نتایج اندازه گیری مقاومت ویژه نشان می دهد که هر سه ترکیب ساخته شده دارای گذار ابررسانایی می باشند. دما و پهنای گذار این نمونه ها با افزایش مقدار ...

این مقاله فاقد چکیده می​باشد.

این مقاله در پی بررسی قرائت، رمزگشایی و تفسیر زنان از سریال های تلویزیون است. این بررسی بر مبنای رویکرد مطالعات فرهنگی انجام گرفته است. به همین دلیل، چارچوب نظری ما منظومه ای از نظریة هژمونی گرامشی و هال و نظریة ترکیب بندی در آثار گرامشی و آلتوسر و هال و لاکلاو و موفه است. این پژوهش با استفاده از روش کیفیِ مصاحبة متمرکز انجام شده است. یافته‏های این پژوهش نشان می دهد که زنان در اغلب موارد با قرائ...

این مقاله فاقد چکیده می​باشد.

روش های اندازه گیری مغناطیسی بسیار متنوع است و بسته به نوع کمیت مورد نظر و شدت میدان مورد اندازه گیری متفاوت خواهند بود. عمده ترین روش های مورد بحث در این پایان نامه، روش اندازه گیری به کمک پراب هال و پیچه چرخان است. این روش ها معمولا به منور اندازه گیری میدان، اندازه گیری انتگرال و گرادیان ، تعیین مرکز مغناطیسی، اندازه گیری و آنالیز هارمونیک های چند قطبی آهنرباهای چندقطبی مورد استفاده قرار می ...

این مقاله در پی بررسی قرائت، رمزگشایی و تفسیر زنان از سریال‌های تلویزیون است. این بررسی بر مبنای رویکرد مطالعات فرهنگی انجام گرفته است. به همین دلیل، چارچوب نظری ما منظومه‌ای از نظریة هژمونی گرامشی و هال و نظریة ترکیب‌بندی در آثار گرامشی و آلتوسر و هال و لاکلاو و موفه است. این پژوهش با استفاده از روش کیفیِ مصاحبة متمرکز انجام شده است. یافته‏های این پژوهش نشان می‌دهد که زنان در اغلب موارد با قر...

در میان تکنولوژی های حسگر مختلف برای تشخیص میدان مغناطیسی، شاید اثر هال گسترده ترین و پرکاربردترین آن ها باشد؛ چرا که این امکان وجود دارد مبدل های اثر هال را با کیفیت بالا، با پروسه های استاندارد مداری مجتمع در صنعت میکروالکترونیک، به همراه مدارهای کمکی پردازش سیگنال، مطمئن و ارزان برای کاربردهای گسترده ساخت. با اینکه نزدیک به نیم قرن از کشف اثر هال می گذرد، تحقیقات پیرامون سنسورهای اثر هال همچ...

نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، در حالیکه tin یک رسانای خوب است در نتیجه افزایش میزان aln در ترکیب باعث افزایش گاف انرژی ترکیب شده، که این امر باعث اف...

در این پژوهش، نانوذرات zro2 (زیرکونیا) به روش سل ژل اصلاح شده در دماهای 600، 800، 1000 و 1200 درجه­ی سانتی گراد سنتز شدند. اکسی نیترات زیرکونیوم به عنوان تامین کننده زیرکونیوم، ژلاتین به منظور عامل پلیمریزاسیون و پایدار کننده و نیز آب مقطر به عنوان حلال مورد استفاده قرار گرفتند. ساختار بلوری پودرها به روش پراش پرتو ایکس (xrd) مورد بررسی قرار گرفت و اندازه­ی میانگین بلورک ها با استفاده از فرمول ...

اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسی...