در این تحقیق ثابت های اپتیکی فیلم های نازک، با استفاده از یک روش اپتیکی که توسط مینکوو پیشنهاد شده است به دقت محاسبه شد. روش مینکوو بر اساس پوش های ماکزیمم و مینیمم طیف بازتاب می باشد که هم قسمت حقیقی و هم قسمت موهومی ضریب شکست مختلط را بدست می دهد. سپس سایر خواص اپتیکی فیلم های نازک از قبیل: ضریب خاموشی، ضخامت، تابع دی الکتریک مختلط، رسانندگی اپتیکی و پارامترهای پاشندگی محاسبه و طیفشان رسم شد....

  مقدمه: در دهه گذشته، استقبال و توجه به استفاده از لیزرهای نقطه کوانتومی ( Quantum dot ) شتاب روزافزونی یافته است. به­دلیل تنظیم­پذیری بالای این گونه لیزرها و درنتیجه امکان انعطاف فوق­العاده در توان خروجی آن­ها کاربردهای بی­شماری به ­ ویژه در حوزه جراحی ­ های مربوط به بافت ­ های حساس و توموگرافی پیدا شده است. ویژگی ­ های منحصر ب ه­ فرد نقاط کوانتومی سبب می ­ گردد که خصوصیات و کاربردهای بسیار م...

در این تحقیق لایه‌های نازک N:ZnO روی زیر لایه شیشه با استفاده از کندوپاش DC در فشار کاری Torr 2-10×2 در مخلوط گازهای آرگون و نیتروژن لایه نشانی شدند. ضخامت، ریخت‌شناسی، ساختار کریستالی و خواص اپتیکی لایه‌ها در سه زمان کندوپاش مختلف شناسایی شدند. با افزایش زمان لایه نشانی، ضخامت لایه‌ها، زبری سطح و ارتفاع دانه‌ها افزایش می‌یابد. لایه‌ها دارای بافت قوی کریستالی در راستای (002) با ساختار هگزاگونال...

به منظور افزایش بهره سلول های خورشیدی لایه نازک، روش هایی برای طراحی مناسب نانوساختارهای پلاسمونیکی و دی الکتریک در سلول پیشنهاد و بررسی می کنیم که امکان برانگیختگی تعداد قابل توجهی از مدهای مختلف اپتیکی و در نتیجه افزایش احتمال جذب فوتون توسط سلول را فراهم می کنند. با بهره گیری از تکنیک محاسباتی تفاضل متناهی در حوزه زمان (FDTD)، برهمکنش نور با ساختارهای پیشنهادی را مدلسازی و چگونگی تنظیم مدهای...

تأثیر یون های فلزی +3al بر روی کیفیت اپتیکی، سرعت رشد، شکل و ساختار بلور پتاسیم دی هیدروژن فسفات (kdp) مورد بررسی قرار گرفت. بلورها به روش بلور دانه گذاری در محلول با غلظت معین و رشد خود به خودی در دمای اتاق تهیه شدند. بررسی طیف ftir حاکی از خنثی سازی گسترده گروه o-h وابسته به بلور kdp توسط یون های +3al می باشد. طیف uv-visible بلور حاوی ناخالصی +3al افزایش ناخواسته جذب در ناحیه فرابنفش nm300-20...

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت،  دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کار...

با پیشرفت فنآوری نیاز انسان به اندازه گیری های دقیق ابعادی گسترش یافته است به نحوی که امروزه اندازه گیری دقیق ابعاد قطعات یکی از بخش های مهم در فرآیند تولید، ساخت و کنترل کیفیت محصولات به شمار می رود. می توان گفت که در صنایع امروز سیستم های اندازه گیری صنعتی بخشی از سامانه های هوشمند کنترل هستند که با دقت بالایی پارامترهای تعیین شده را اندازه گیری و مانیتور می کنند.در بین روشهای اندازه گیری، رو...