به دلیل اهمیت اندازه گیری ضخامت و شناسایی لایه های نازک، روش های گوناگونی برای تشخیص و تعیین این لایه ها به کار گرفته شده است. بیناب نگاری شکست القایی لیزری (libs) نیز در دهه ی اخیر به عنوان یک ابزار تشخیصی برای شناسایی لایه های نازک مورد توجه قرار گرفته است. بی نیازی از آماده-سازی نمونه، سرعت به کارگیری آن برای گستره ی وسیعی از عنصر ها، حتی از راه دور، از جمله ی برتری-های این روش به شمار می آی...

به منظور کاربرد نانوذرات مغناطیسی در محیط های ذخیره سازی اطلاعات، نیاز به نانوذراتی در ابعاد nm 20-2 است تا هر نانوذره به عنوان یک بیت به کار رود. این ذرات می باید از نظر مغناطیسی، فرومغناطیس و دارای ناهمسانگردی مغناطوبلوری بالا (ku= 107 erg/cm3) و همچنین میدان وادارندگی از مرتبه تسلا باشند. دستیابی به این خواص از طریق گذار به فاز منظم l10 حین گرمادهی نانوذرات تا دمای c?600 امکان پذیر است. دمای...

slow light در محیط های پخش مختلف اخیر فضای فعالی برای تحقیق در مورد نور شده است. در طی چند سال گذشته چندین تکنیک برای کاهش سرعت نور در محیط های مختلف یافت شده است. یکی از بهترین روشها برای تولید slow light شفافیت القا شده الکترومغناطیسی است. در این پایان ایجاد از لحاظ تیوری در تقویت کننده های فیبر نوری آلایییده به اربیم و حساس شده با سیلیکان نانو کریستال توسط روش eit مطالعه خواهد شد/. ولی ابتدا...

یک حسگر قطعه ای است که به یک محرک خارجی (فیزیکی یا شیمیایی ) پاسخ داده و پیغام مناسبی را اریال می کند. پاسخ یک حسگر گاز به شکلهای مختلف بروز می کند که یکی از آنها تغییر مقاومت حسگر با ورود گاز می باشد. اکسیدهای فلزی و سیلیکان متخلخل از جمله موادی هستند که به عنوان حسگر گاز مورد استفاده قرار می گیرند. به دلیل قیمت بسیار پائین تر تراشه بس بلوری سیلیکان ، نسبت به تراشه تک بلوری آن، در این تحقیق از...

طراحی شتاب سنج بر مبنای فناوری میکروماشینکاری موضوع این پایان نامه می باشد.از میان انواع مبدلهای موجود دراین مقیاس از نوع خازنی آن بهره برده شده است.جنس شتاب سنج سیلیکان است.در پایان نیز پارامترهای عملکرد شتاب سنج ارائه شده است.

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

0

  We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelengt...

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

در این مقاله  ساختار سطحی سیلیکان متخلخل ضمن حکاکی ناهمگن مورد مطالعه قرار می گیرد. داده ها و تصاویر دو بعدی و سه بعدی حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی  FESEM و میکروسکوپ نیروی اتمی AFM مورد تحلیل آماری و محاسباتی قرار می گیرند. تصاویر FESEM بیانگر ایجاد ساختارهای هرم گونه ضمن فرایند حکاکی است. محاسبات مبتنی بر تعیین زبری و تابع همبستگی نشان می دهند که سطح موثر و ابعاد هرم ها ضمن حک...