رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگ...

چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه­هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می­شود که مشخصات  DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل­ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه­ مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه­­ساز دوبعدی بررسی می­شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از V13 در ساختار  متداول به V19 در ساخ...

ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخ...

چکیده در این پایان نامه برای محاسبه مشخصه جریان-ولتاژ، ابتدا با در نظرگرفتن اثر طول گیت (lg)، معادلات حل شده اند و از صحت و درستی آنها در مقایسه با مقالات و داده های موجود اطمینان حاصل شده، سپس یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی مشخصه ولتاژ-جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانسalgan/gan ارائه گردیده و فرض شده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به طور خطی و تدریجی تغییر می کند. با...

در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند. امروزه اکثر سیستم ها به صورت بی سیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود. یکی از مهمترین بخش های گیرنده rf میکسرمی باشد. مهمترین ویژگی میکسر بهره تبدیل بالا و iip3 مناسب می باشد. برای سیستم های بی...

ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ همواره طراحی و پیاده سازی یک واحد تأخیر مناسب برای کاربردهای دیجیتال و آنالوگ به عنوان یک چالش مطرح بوده است. این مدار کوچک نقش قابل توجهی در کارآیی سیستم‌های مختلف و بخصوص سیستمهای دیجیتال ایفا می‌نماید. از آنجا که در تکنولوژی‌های زیر میکرون که توان مصرفی و کاهش ولتاژ به عنوان یک ضرورت احساس می‌شود، دست یابی به یک واحد تأخیر با خطینگی مناسب به عنوان مشکل بزرگی در ...

طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر د...