می دانیم که با افزودن ناخالصی به یک سیستم خالص، تقارن آن سیستم از بین می رود و باعث به وجود آمدن پراکندگی در موج ورودی به داخل سیستم می شود که از جمله این تقارن ها، تقارن انتقالی می باشد. در محیط های با این ویژگی الکترون از تئوری بلوخ پیروی نمی کند و در مسیر خود با عوامل پراکندگی مواجه می شود. چون ناخالصی مورد نظر معمولا به صورت تصادفی وقطری می باشد اگر بخواهیم این سیستم را مورد مطالعه قرار دهی...

در این پژوهش ترابرد الکترونی در سامانه های فلز/فولرین(c60)/فلز و فلز/آزافولرین(c59n)/فلز به طور نظری و در چارچوب مدل مورد مطالعه و بررسی قرار می دهیم. در این مدل از الکترودهای فلزی یک بعدی نیم بی نهایت و از مولکول های c60 وc59n به عنوان پل های مولکولی بین دو الکترود فلزی استفاده می کنیم. محاسبات حالات الکترونی براساس مدل هامیلتونی بستگی قوی و نظریه تابع گرین تعمیم یافته وترابرد الکترونی مبتنی ب...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

هدف اصلی در این پژوهش، محاسبه رسانندگی گرافن در رژیم نیمه کلاسیکی در حضور ناخالصی ها است. در این پایان نامه اثر ناخالصی ها بر روی گرافن بررسی شده و تحت تقریب زمان واهلش و معادله بولتزمن رسانندگی گرافن به دست خواهد آمد. با حل معادله بولتزمن در این تقریب می توان رسانندگی گرافن را برحسب تابعی از چگالی ناخالصی ها به دست آورد. محاسبات این پژوهش نشان می دهد که رسانندگی گرافن تک لایه با چگالی ناخالصی ...

مواد ترموالکتریک گرادیان دمایی را به الکتریسیته تبدیل می کنند و همچنین قادر به انجام عکس این عمل می باشند . اما ترموالکتریک ها به خاطر کمیت شایستگی پایین خود ، که در کارآیی آنها نقش تعیین کننده ای دارد ، محدودیت کاربردی دارند . از طرفی کمیت شایستگی نانوساختار های یک بعدی به مراتب از همتای کپه ای بزرگ تر است . در این میان نانوسیم سیلیکون به خاطر ویژگی های بدیع از اهمیت بسیاری برخوردار است . در ا...

در این مقاله خواص الکترونیکی و نوری پروسکایتهای آلی، در فاز مکعبی ، برای ساختارهای متیل آمونیوم و فورمامیدینیوم سرب یدید ، برومید و کلرید براساس نظریه تابعی چگال و با استفاده از نرم افزار quantum espresso و با انرزی جنبشی قطع 408 الکترون ولت و شبه پتانسیل هایی با تابع PBE و تقریب GGA مورد استفاده قرار گرفته است. در این راستا، ثابت شبکه ، ساختار الکترونیکی ، طیف جذبی ، رسانندگی اپتیکی ، ضریب شکس...

در این مقاله، ترابرد ذرات مانند فرمیون های دیراک روی سطح یک عایق توپولوژیک در عبور از میدان الکتریکی خارجی و میدان مغناطیسی ناشی از حضور یک لایه فرومغناطیس بررسی شده است. در ابتدا مروری بر ویژگی های عایق توپولوژیک داشته و سپس با استفاده از معادلات دیراک هامیلتونی الکترون‌های عبوری از روی سطح را می‌نویسیم. با استفاده از تبدیلات لورنتس هامیلتونی مورد نظر را حل کرده و ویژه انرژی ها یا ویژه مقادیر ...

در این مقاله، چگالی حالت‌ها و رسانندگی الکتریکی نانولوله‌های کربنی و نیترید بور آرمچیر با قطرهای مختلف با استفاده از تقریب تنگ‌بست، رهیافت تابع گرین و رابطۀ رسانندگی کوبو محاسبه می‌شود و نتایج حاصل با چگالی‌حالت‌ها و رسانندگی الکتریکی یک صفحۀ گرافین و نیترید بور مقایسه می‌شود. نتایج نشان می‌دهد که نانولوله‌های کربنی آرمچیر برخلاف صفحۀ گرافین که نیم‌فلز است، همگی رسانا هستند در حالی که نانولوله‌...

اخیراً چسب های رسانای الکتریسیته به عنوان جایگزین بالقوه لحیم های دارای سرب، توجه و تمرکز زیاد پژوهشگران را به خود معطوف کرده اند. این چسب ها براساس مسیر رسانایی، به دو دسته کلی همسانگرد و ناهمسانگرد تقسیم م یشوند. کاربرد اصلی چسب های رسانای همسانگرد در زمینه قطعات الکترونیک است. مطالعاتی که در زمینه چسب های رسانای الکتریسیته انجام شده است، نشان می دهد که این چسب ها نسبت به فناوری سنتی اتصال...