نتایج جستجو برای: حسگر نیمه هادی

تعداد نتایج: 32196  

تقلب در شیر و دیگر محصولات لبنی نه تنها یک تهدید جدی برای سلامت انسان است بلکه زیان­های اقتصادی متعددی را نیز به دنبال دارد. از جمله تقلبات رایج در شیر خام، استفاده از مواد بازدارنده بار میکروبی است. در این پژوهش، یک سامانه­ی ماشین بویایی (بینی الکترونیکی) بر پایه هشت حسگر نیمه هادی اکسـید فلـزی (MOS) ساخته شد و قابلیت آن در تشخیص مقادیر مختلف فرمالین در شیر خام (0، 05/0، 1/0، 2/0 و 3/0 درصد) م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1376

هدف از این رساله دست یابی به تکنولوژی رسد بلور نیمه هادی insb و اندازه گیری مشخصات ان و نهایتا ساخت اشکار سازهای فوتو رسانای insb می باشد. برای این منظور ضمن معرفی روشهای استاندارد رشد بلور با استفاد از روش برجیمن عمودی، نمونه هایی از تک بلور insb رشد داده شد. برای مقایسه این نمونه با نمونه های تجارتی، مشخصات بلور اندازه گیری قرار گرفت . این مشخصات عبارتند از تغییرات ثابت هال، رسانندگی، تحرک ال...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1374

با توجه به پیشرفتهای روزافزون تکنولوژی نیمه هادیها و مدارهای تجمعی اهمیت اتصالات فلز - نیمه هادی روز به روز بیشتر می شود. با توجه به سابقه طوللانی تحقیق در زمینه پیوندهای فلز - نیمه هادی، مطالعات زیادی در دهه اخیر صورت گرفته است که نشاندهنده اهمیت کاربردی آنها در تکنولوژی جدید قطعات نیمه هادی می باشد. در این پروژه سعی شده تمام نظریه های اصلی، در مورد پیوندهای فلز - نیمه هادی با توجه به روند تار...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده شیمی 1393

نانو بلور های فلز سولفید شامل zns، cds، pbs، ag2s و hgs با مورفولوژی های گوناگون شامل ذرات، میله ها، کره ها و درختسان ها با استفاده از یک روش سولوترمال تهیه شدند. واکنش ها در دما و زمان های مختلف، در حضور عامل سولفیدکننده ی جدید از دسته ی تیوبازشیف ها (2- (بنزیل ایدن آمینو) بنزن تیول) بدون حضور سورفکتانت انجام شدند. اثر عوامل مختلف نظیر دما، زمان، نوع حلال و غلظت عامل سولفیدکننده بر روی مورفولو...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فرامرز صحراگرد f sahra gard sultan qaboos university of omanدانشگاه سلطان قابوس عمان

یک سلول uhv شکست اتمی هیدروژن جهت تولید هیدروژن اتمی به منظور تمیز سازی درجای نمونه های نیمه هادی ساخته شده است. این سلول به منظور تمیز سازی نمونه های گروه سه تا پنج جدول تناوبی عناصر نظیر gaas تنظیم و مورد آزمایش قرارگرفته است. درکارحاضر فرایند شیمیایی تمیزسازی هیدروژن نمونه های gaas توسط طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرارگرفت. روش xps روی نمونه ها در مراحل مختلف تمیزسازی به کارگرفته شد. دفع اکسید...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
شهرام سیدین sh. seyyedin سیدمحسن حسینی گلگو s. m. hosseini-golgoo محمد حسین قزل ایاغ m. h. ghezel ayagh فریما آگند f. agend

در این مقاله، نحوه ساخت و ارزیابی حسگرهای گاز مبتنی بر لایه نازک اکسید قلع نانوساختار به دو روش تبخیر گرمایی (نوع i) و کَند و پاش (نوع ii) نسبت به اتانول بررسی شده است. لایه نازک اکسید قلع برروی زیرلایه هایی از ویفر سیلیکن ایجاد و برروی آن ها عملیات حرارتی انجام شد. با استفاده از روش های ساختارسنجی و تحلیل مختلف sem)، afm، xrd و (eds ریزساختار بدنه های نیمه هادی مورد ارزیابی قرار گرفت. تصاویر se...

غلامرضا مریدی

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده فنی 1388

دو رویکرد متداول برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی، روش های مبتنی بر معادلات موازنه و مونت کارلو هستند. در روش مونت کارلو، تابع توزیع بولتزمن محاسبه می شود و سپس از روی آن کمیت های فیزیکی بدست می آیند. اما در روش های مبتنی بر معادلات موازنه، تابع توزیع محاسبه نمی شود، بلکه مستقیماً کمیت های فیزیکی مورد نیاز بدست می آیند. از آنجائیکه روش مونت کارلو به شدت نویز پذیر است و به زمان پردازش زیادی نیاز دا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1378

سنسور میدان مغناطیسی مبدلی است که میدان مغناطیسی را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. سنسورهای نیمه هادی گالوارنومگنتیک ، با توجه به نیروی لورنتس که به حاملهای بار وارد می شود، به میدان مغناطیسی حساس می باشند. در این پایان نامه ابتدا به فیزیک اثر هال که یکی از مشهودترین آثار گالوانومگنیک می باشد، در نیمه هادیها پرداخته شده است . ابتدا یک تحلیل تقریبی ارائه شده و سپس روابط دقیقتر برای ضرایب اس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1393

استفاده از نیمه هادی های اکسیدی، برای ساخت ادوات مختلف نظیر حسگر¬های گاز و سلول¬های خورشیدی، حائز اهمیت بوده و همواره مورد مطالعه واقع شده است. در این میان برای افزایش حساسیت حسگرها از روش¬های مختلفی مانند پیش رفتن به سمت ساختار¬های در مقیاس نانو، افزودن ناخالصی و یا اضافه کردن لایه¬هایی از فلزات نجیب به نیمه¬هادی اکسیدی استفاده می¬شود. کار حاضر با هدف افزایش حساسیت حسگر گاز اکسید ایندیم آلایش ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید