لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

برای انتقال انرژی الکتریکی ازنیروگاه ها به مصرف کنندگان، یک سیستم بهم پیوسته مورد نیاز می باشد. این سیستم شامل مراکز تولید انرژی، ایستگاه ها، خطوط انتقال یا کابلها و مصرف کنندگان می باشد. سیستم های hvdcبرای اتصال شبکه های ناهماهنگ و یا بهبود پایداری و حفظ سطح اتصال کوتاه شبکه های ac متصل به آنها با کنترل پذیری بالایی که دارند، استفاده می گردند. یکی از شروط مهم عملکرد رضایت بخش خط ارتباطیhvdc، ک...

محدودیت های عملکرد ذاتی ترانزیستورهایsi در دماها و توان های بالا انگیزه اصلی گرایش به سمت نیمه هادی هایی با شکاف انرژی بالا نظیر sic و gan بوده است. در بسیاری از کاربردها از قبیل کاربردهای نظامی و رادار لازم است مدارهایی با قابلیت های پهن باند مورد استفاده قرار گیرند. طراحی تقویت کننده های توان با کارایی بالا مهم ترین مساله ای ایست که در طراحی فرستنده ها باید مورد توجه قرار گیرد. در سال های اخ...

     شایع‌ترین عامل به وجود آورنده جریان غیر ماندگار، باز و بسته کردن شیر­های قطع و وصل جریان است. این عمل باعث انتشار امواج فشاری در سیستم می­شود. شدت امواج فشاری به عواملی از قبیل نوع شیر، سرعت باز و بسته شدن شیر، هیدرولیک سیستم و خواص الاستیکی لوله­ها بستگی دارد. یکی از مکان­هایی که محاسبه ضربه قوچ در آن دارای اهمیت می­باشد، سیستم انتقال آب نیروگاه­های برقابی است. اگر در زمان بهره­برداری از ...

در سال های اخیر سنتز نانو مواد هیبریدی آلی-معدنی به طور چشم گیری مورد مطالعه قرار گرفته اند. این مواد قابلیت لازم را در ممانعت از جریان نشتی و تونلی در محفظه های فراخلأ، گیت های حسگرهای الکتروشیمیایی دارویی و تراشه های الکترونیکی دارند علاوه بر آن مواد دی الکتریک هیبریدی می-توانند به عنوان یک سد دی الکتریک کنترلی در قطعات نانو ترانزیستورها و حافظه های ذخیره کننده رایانه ای و تلفن همراه نیز استف...

ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین به بررسی جریان با قطبش اسپینی در نقاط کوانتومی 24 و 54 اتمی فسفرینی شش‌گوشی با لبه‌ی زیگزاگ پرداخته‌ایم. با این فرض که تمام الکترون‌های ورودی به ساختار نقطه‌ی کوانتومی فسفرین دارای اسپین بالا باشند، با انتخاب مناسب میدان الکتریکی که از خارج توسط یک ولتاژ گیت کنترل می‌شود، می‌توان یک جریان خروجی با قطبش اسپینی دلخواه داشت به‌ویژه شرایطی وجود دارد که می‌تو...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...