لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (zno:n) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0c450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف xrd نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیحی رشد در آنها تغییر پیدا کرده است. این تاثیر گذاری در خواص اپتیکی لایه ها نیز بخوبی مشهود بوده به طوری که عبور اپتیکی...

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی موجود مقایسه شده‌اند. ویژگی‌های اپتیکی با محاسبه قسمت‌های حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

در این تحقیق، خواص اپتیکی غیرخطی بلور‌مایع نماتیک آلائیده با رنگینه آزو مورد بررسی قرار گرفته است. مقدار و علامت ضریب شکست و ضریب جذب غیرخطی بلور مایع نماتیک آلائیده با رنگینه آزو دیسپرس قرمز 2 توسط روش جاروب اندازه گیری شده است. در این مقاله، اندازه‌گیری‌ها توسط لیزر پیوسته نئودیم یگ با طول موج nm532 انجام شده است. تاثیر جهت‌گیری اولیه ملکول‌ها بر روی خواص غیرخطی بررسی شده است. ضریب شکست غیرخط...

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت،  دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کار...

لایه‌های دوبعدی کلکوژنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف‌های نواری مستقیم در بازه‌ی طول موج مرئی و مادون قرمز نزدیک، افق جدیدی در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده اند. تک‌لایه‌های MoSe2، WSe2، MoS2 و WS2 به‌عنوان چند تک‌لایه از TMDCها دارای ویژگی‌های اپتیکی ویژه‌ای می‌باشند. در این مقاله ثابت گذردهی این تک‌لایه‌ها با استفاده از مدل لورنتس، لورنتس-گاوس و درود-لورنتس-گاوس بدست آم...

سلول های خورشیدی رنگدانه ای با فراهم آوردن انرژی پاک و ارزان، به عنوان ابزار فوتوولتائیکی ارزان قیمت، پتانسیل بزرگی را در حیطه ی انرژی تجدید پذیر به خود اختصاص داده اند. سلول های خورشیدی رنگدانه ای بر پایه ی رنگدانه های طبیعی در مقایسه با سلول های خورشیدی رنگدانه ای بر پایه ی روتینیوم، عملکردی بسیار ضعیف دارند. به منظور افزایش عملکرد سلول های خورشیدی رنگدانه ای، رهیافت های متعددی از قبیل افزایش...

لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0C450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف XRD نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیحی رشد در آنها تغییر پیدا کرده است. این تاثیر گذاری در خواص اپتیکی لایه ها نیز بخوبی مشهود بوده به طوری که عبور اپتیکی...

عبارتی تحلیلی برای قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی خطی نانولوله های کربنی تک دیواره ی زیگزیگ برحسب تابعی از انرژی بدون بعد فوتون بدست آورده شده است.محاسبات عددی نشان می دهد که شدت و موقعیت پیک های پذیرفتاری اپتیکی وابسته به ثابت پهن شدگی و تکانه ی زاویه ای در امتداد جهت سمتی است. کاهش ثابت پهن شدگی منجر به افزایش موقعیت پیک های تشدید در قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی می شودو با افزای...

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...