نتایج جستجو برای: ترکیبات گالیم

تعداد نتایج: 22756  

در این مقاله نانو کامپوزیت شفاف اکسیدروی آلائیده به عنصرگالیم با خواص تابناکی ویژه در دمای اتاق تهیه شد. نانوبلورهای اکسیدروی آلائیده به عنصر گالیم( (GZO به روش ساده سل ژل سنتز شدند. خواص اپتیکی، ساختاری و ریخت‌شناسی نمونه‌های تهیه شده توسط مشخصه‌یابی‌های مختلف از جمله طیف فوتولومینسانس، طیف جذبی-عبوری، طیف پراش پرتوی ایکس (XRD)، طیف‌سنجی پراش انرژی پرتو ایکس(EDAX)، تبدیل فوریه مادون قزمز(FTIR)...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم 1390

نانولوله گالیم نیترید آرمچیری (5و5) بر خلاف نانولوله کربنی به صورت نیمه هادی است. نانولوله-های گالیم نیترید به همان پایداری نانولوله های کربنی هستند و می توانند تحت برخی از شرایط مازاد شکل بگیرند. ویژگی گالیم نیترید نشان دهنده قابلیت این ماده برای استفاده در وسایل الکترونیکی با دما و سرعت بالا است. علاوه بر این، آنها خواص نوری جالبی نیز دارند به طوری که می توانند طول موج های ماوراء بنفش و نورآب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بیرجند - دانشکده علوم 1391

در این کار پژوهشی نانوذرات nife2-xgaxo4 به ازای x های 0، 1/0 و 3/0 به روش سل – ژل ساخته شد و اثر جانشانی گالیم بر خواص ساختاری و مغناطیسی این نانوذرات مورد بررسی قرار گرفت. به منظور شناسایی ذرات حاصل، از طیف اشعه x و برای بررسی ویژگی های مغناطیسی آنها از دستگاه مغناطیس سنج با نمونه نوسانی vsm استفاده گردید. آنالیز ساختاری نمونه ها توسط الگوی پراش پرتو x نشان می دهد ساختار حاصل، اسپینلی معکوس ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - پژوهشکده علوم پایه کاربردی 1390

در این پایان نامه، خصوصیات اپتیکی فاز جدیدی از ماده گالیم نیترید (gan) به شکل نانولوله را با استفاده از محاسبات تابعی چگالی (dft) بررسی می کنیم. ساختار نانولوله گالیم نیترید مانند نانولوله کربنی پایدار و تحت شرایطی قابل سنتز می باشد. از آنجایی که نانولوله بورون نیترید و بورون کربن نیترید قبلاً به وسیله روش قوس الکتریکی در تجربه مشاهده شده است انتظار می رود که سنتز نانولوله نیتریدی دیگری مانند کر...

آرش پناهی فر امیر رضا جلیلیان عبدالرضا سیم چی مرتضی محمودی مهدی اخلاقی

نانوذرات ابر پارامغناطیسی اکسید آهن (SPION) پس از تهیه شدن، با هدف بررسی پراکنش زیستی این ذرات در بدن موش صحرایی، با گالیم-67 نشان‌دار شدند تا Ga]-SPION67[ به دست آید. نانوذرات ابر پارامغناطیسی اکسید آهن با دانه‌بندی کوچک با روش هم‌رسوبی با استفاده از نمک‌های آهن 3Fe+ و 2Fe+ با نسبت مولی 2 به 1 سنتز شدند. از روش­های شناسایی XRD، TGA، DSC، V...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
kamyar - saghafi shahed univ. mohammad kazeme moravvej-farshi tarbiat modares univ. vahid ahmadi tarbiat modares univ.

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1391

در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم های خنک کننده را که باعث افزایش قیمت این سیستم ها می شود را حذف کرد که علاوه بر کاهش قیمت، کاهش اندازه سیستم را نیز د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1398

در این پایان نامه برخی از ترکیبات فلزات گروه سیزده جدول تناوبی در مقیاس نانو سنتز شدند. از آنجا که خواص کلی عناصر این گروه بسیار متفاوت هستند روش های گوناگونی مورد استفاده قرار گرفت. با استفاده از روش سونوشیمی، نانو ساختار ایندیم(iii) هیدروکسید و ایندیم(iii) اکسید سنتز شدند. نانو ساختارهای آلومینیوم اکسید، ایندیم(iii) اکسید و تالیم(iii) اکسید با استفاده از پیش ماده های پلیمر کوئوردیناسیونی سنتز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم 1380

در این رساله هدف آشنایی با طرز کار سنسورهای نوری و آشنایی با کاربرد انواع سنسورهای فیبر نوری است. بدین منظور ابتدا خواص اساسی نیمه هادیها، مخصوصا نیمه هادیهای سیلیکون و گالیوم ارسناید مورد بررسی قرار گرفته و بعد تاثیر ناخالصی بر روی این خواص بیان شده است در این راستا، گاف انرژی نیمه هادیها؛ حائز اهمیت است چون مقدار آن با عوامل خارجی مثل افزودن ناخالصی یا دادن گرما و نور به نیمه هادی تغییر می کن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بیرجند - دانشکده علوم 1391

در این کار پژوهشی نانوذرات znfe2-xgaxo4 به ازای x های 0 ، 1/0 و 3/0 به روش سل– ژل در بستر سلیکا ساخته شد و اثر جانشانی گالیم بر خواص ساختاری و مغناطیسی این نانوذرات مورد بررسی قرار گرفت. به منظور شناسایی فاز ذرات حاصل، از طیف اشعه x و برای بررسی ویژگی های مغناطیسی آنها از دستگاه مغناطیس سنج با نمونه نوسانی vsm استفاده گردید. آنالیز ساختاری نمونه ها توسط الگوی پراش پرتو x نشان می دهد ساختار حا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید