در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر د...

کاربرد سه نوع آرایه الکترودی جهت شناسایی یک حفره زیرزمینی بررسی گردید. تصویر سازی سه بعدی مقاومت الکتریکی در امتداد هشت پروفیل موازی با استفاده از آرایه های الکترودی قطبی- قطبی، قطبی-دوقطبی و دوقطبی- دوقطبی با فاصله بین الکترودی یک متر  و شبکه مستطیلی صورت گرفت. برگردان سازی داده ها توسط یک الگوریتم وارون سازی  سه بعدی مبتنی بر روش برگردان سازی هوشمند انجام گردید.  جهت بدست آوردن نتایج بهتر، بر...

با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

    کاربرد سه نوع آرایه الکترودی جهت شناسایی یک حفره زیرزمینی بررسی گردید. تصویر سازی سه بعدی مقاومت الکتریکی در امتداد هشت پروفیل موازی با استفاده از آرایه های الکترودی قطبی- قطبی، قطبی-دوقطبی و دوقطبی- دوقطبی با فاصله بین الکترودی یک متر  و شبکه مستطیلی صورت گرفت. برگردان سازی داده ها توسط یک الگوریتم وارون سازی  سه بعدی مبتنی بر روش برگردان سازی هوشمند انجام گردید.  جهت بدست آوردن نتایج بهتر...

ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...

اختلالات اسکیزوفرنیا و دوقطبی با اختلال در عملکردهای شناختی همراهند و پروفایل شناختی این دو اختلال به هم شبیه است. با این حال، نقایص شناختی در این بیماران ممکن است مسیر های متفاوتی را دنبال کنند. هدف پژوهش حاضر، بررسی و مقایسه سرعت شناختی و زمان واکنش و تصمیم‌گیری در بیماران اسکیزوفرنیا و دوقطبی بود. برای این منظور طی یک پژوهش مقایسه‌ای، چهل بیمار مبتلا به اختلال اسکیزوفرنیا، 40 بیمار مبتلا به ...

در این مقاله راجع به نیمه هادیها و ترانزیستور کلیاتی مورد بحث قرار میگیرد که مطالعه آن برای کلیه علاقه مندان مفید می باشد .

مقدمه: به دلیل شباهت بالای نشانه‌ها و مشخصات بالینی بین اختلالات طیف شخصیت مرزی و دوقطبی به‌ویژه اختلال دوقطبی -II، برخی از محققان اختلال شخصیت مرزی را با طیف دوقطبی طبقه‌بندی نموده‌اند و برای هر دو اختلال سبب‌شناسی مشترکی را در نظر گرفته‌اند. در مطالعه حاضر به‌منظور ارزیابی این فرضیه، رابطه صمیمی و تجربۀ خشم در اختلالات شخصیت مرزی و دوقطبی -II مقایسه شده است. مواد و روش‌ها: نمونه شامل 27 بیمار...