در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

رفتار دمایی حسگرهای مقاومتی مبتنی بر اکسید قلع، اکسید تیتانیوم خالص و آلایش شده با نقره در حضور گازهای الکلی و هیدروژن تست و بررسی شد. مشاهده شد که منحنی حساسیت بر حسب دما درخصوص این حسگرها دارای نقطه بیشینه می باشد. مشخص شد نقطه بیشینه در این دسته از حسگرها کاملا مستقل از نوع و غلظت گازهای الکلی تست شونده است. بررسی ها در خصوص گونه متفاوتی از حسگرها با ساختار فلز-نیمه هادی تکرار شد و مشخص شد ک...

در این پژوهش، از یک مدل مونت کارلو دو دره ای برای شبیه سازی اتصال شاتکی استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند و یونیزاسیون برخوردی در ماتریس پراکندگی قرار گرفته است. باندهای انرژی غیرسهموی فرض شده اند و سازوکارهای تونل زنی و گسیل گرمایونی مولفه های جریانی هستند. با اضافه کردن یک لایه نازک غیر هم نوع با نیم رسانا نشان داده شده است که شکل گیری یک مید...

کاتدهای اکسیدی گرمایونی به عنوان یکی از مهمترین منبع گسیل الکترون در قطعات الکترونیکی خلاء مورد استفاده قرار می‌گیرند. در این کار پژوهشی کاتد اکسیدی پخت شده با پودر نیکل با سطح مقطع 0.07cm2  ساخته شده و پارامترهای گسیل الکترونی آن از قبیل چگالی جریان شباعی و تابع کار اندازه‌گیری شده است مقدار تابع کار،  به دست آمد. تغییرات چگالی جریان با دما بررسی شده و منحنی‌های شاتکی (Schottky) و ر...

در این تحقیق، سه فولاد آستنیتی کروم- منگنزدار s1، s2 و s3 توسط کوره ذوب القایی تحت خلا تولید شد. سپس ورق هایی از آن به ضخامت 10 میلی متر با عملیات نورد گرم متوالی حاصل شد. رفتار الکتروشیمیایی دو فولاد آستنیتی کروم- منگنزدار در محلول 0/1، 0/5 و 1 مولار اسید سولفوریک، توسط آزمون های پتانسیل مدار باز، پلاریزاسیون پتانسیودینامیک، طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی و موت- شاتکی ارزیابی شد. نتایج نشان دا...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در این مقاله، مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی ترانزیستور ماسفت دوگیتی با گیت دوماده‌ای بدون آلایش ارائه شده است که قابل اعمال به ساختارهای متقارن و نامتقارن می‌باشد. پتانسیل دوبعدی با مجموع مؤلفه پتانسیل یک‌بعدی کانال بلند در امتداد طول کانال و مؤلفه تغییرات دوبعدی کانال کوتاه بیان شده است. مؤلفه یک‌بعدی به طول Debye ذاتی وابسته است و به‌صورت تحلیلی از حل معادله یک‌بعدی پواسون استخراج م...

با توجه به پیشرفتهای روزافزون تکنولوژی نیمه هادیها و مدارهای تجمعی اهمیت اتصالات فلز - نیمه هادی روز به روز بیشتر می شود. با توجه به سابقه طوللانی تحقیق در زمینه پیوندهای فلز - نیمه هادی، مطالعات زیادی در دهه اخیر صورت گرفته است که نشاندهنده اهمیت کاربردی آنها در تکنولوژی جدید قطعات نیمه هادی می باشد. در این پروژه سعی شده تمام نظریه های اصلی، در مورد پیوندهای فلز - نیمه هادی با توجه به روند تار...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...