در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر د...

کاربرد سه نوع آرایه الکترودی جهت شناسایی یک حفره زیرزمینی بررسی گردید. تصویر سازی سه بعدی مقاومت الکتریکی در امتداد هشت پروفیل موازی با استفاده از آرایه های الکترودی قطبی- قطبی، قطبی-دوقطبی و دوقطبی- دوقطبی با فاصله بین الکترودی یک متر  و شبکه مستطیلی صورت گرفت. برگردان سازی داده ها توسط یک الگوریتم وارون سازی  سه بعدی مبتنی بر روش برگردان سازی هوشمند انجام گردید.  جهت بدست آوردن نتایج بهتر، بر...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

    کاربرد سه نوع آرایه الکترودی جهت شناسایی یک حفره زیرزمینی بررسی گردید. تصویر سازی سه بعدی مقاومت الکتریکی در امتداد هشت پروفیل موازی با استفاده از آرایه های الکترودی قطبی- قطبی، قطبی-دوقطبی و دوقطبی- دوقطبی با فاصله بین الکترودی یک متر  و شبکه مستطیلی صورت گرفت. برگردان سازی داده ها توسط یک الگوریتم وارون سازی  سه بعدی مبتنی بر روش برگردان سازی هوشمند انجام گردید.  جهت بدست آوردن نتایج بهتر...

در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگ...

چکیده امروزه به طور گسترده، از ژل های پلیمری به منظور مقابله با تولید آب اضافی حین استخراج مواد هیدروکربوری از مخازن استفاده می شود. این مواد تراوایی نسبی آب را بسیار بیشتر از تراوایی نسبی نفت کاهش می دهند که به این خاصیت، اصطلاحاً کاهش نامتجانس تراوایی گویند. تا به حال چند مکانیسم برای این پدیده پیشنهاد شده است. اما هر یک در تعمیم مدل به حالت واقعی محدودیتهایی دارند. ژلهای پلیمری پس از قرار گ...

در کار حاضر، ساختار نامتجانس دو مؤلفه‌ای از آرایه نانومیله‌های اکسید روی (ZnO NRs) و ساختارهای اکسید مس (CuO) رشد داده می‌شود. نانومیله-های یک بعدی ZnO به کمک لایه جوانه‌زنی به‌وسیله‌ی روش شیمیایی‌تر در دمای پایین رشد داده می‌شوند. سپس فیلم نازک اکسید مس با اکسایش حرارتی فیلم نازک Cu نهشت‌شده با کندوپاش مگنترونی بر ZnO NRs به منظور افزایش و گسترش جذب اپتیکی در ناحیه مرئی تشکیل می‌شود. مشخصه‌های...

در سالهای اخیر مواد نیتریدی کاربردهای بسیار ارزنده ای در صنعت الکترونیک? اپتوالکترونیک?صنایع نظامی و... پیدا کرده اند. از این میان? ساختارهای نامتجانس نیتریدی بخصوص بسیار مورد توجه بوده اند. از خواص مواد نیتریدی بخصوص که چاه های کوانتومی آنها مورد توجه در این پایان نامه می باشد، می توان به بزرگ بودن و مستقیم بودن گاف انرژی ?رسانندگی حرارتی خوب و سرعت اشباع الکترونی بالا اشاره کرد که این خواص با...

ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...