در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...

در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگ...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر د...

ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

به منظور محاسبه­‌ی طیف انرژی باریکه­‌ی الکترونی با استفاده از منحنی دز- عمق از یک روش ابتکاری استفاده شد. توزیع دز- عمق باریکه­‌ی الکترونی با انرژی­‌های اولیه‌­ی متفاوت حاصل از یک شتاب­دهنده­‌ی الکترون پس از عبور از یک صفحه‌­ی سربی پراکننده، با استفاده از دزیمتر اتاقک یونش با صفحه‌­های موازی کنترل شونده با کامپیوتر در داخل فانتوم آب اندازه­‌گیری شد. منحنی­‌های دز- عمق حاصل از الکترون­‌ها به عنو...

در پایان¬نامه ی حاضر، اثر تنش تک محور بر روی انحنای بری گرافین مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با فرض این که، اعمال تنش به نرمی و آرامی در فضا و مکان رخ داده، صورت گرفته است. نتایج به دست آمده نشان دهنده ی اثرات متنوع تنش اعمالی به گرافین می باشد که می توان از مشاهده ی اثر هال، پمپاژ بار، امکان وجود مغناطش مداری در غیاب هرگونه ماده ی مغناطیسی در سیستم و تولید نیروی الکتروموتیو به عنوان نمونه...

در این پایان¬نامه طراحی مدارهای cmos در فرکانس¬های با طول موج میلیمتری مورد بررسی قرار گرفت و عملکرد قطعات فعال و غیرفعال در این فرکانس¬ها بیان شد. به¬دلیل اثرات پارازیتی موجود در فرکانس¬های بسیار بالا، مدل قطعات شامل سلف، خازن و خط انتقال، باید با استفاده از آنالیز جریان¬های شارش یافته در زیرلایه و سایر قسمت¬های قطعه، در نرم¬افزارهای شبیه¬سازی سه بعدی الکترومغناطیسی به¬دست ¬آید. طراحی این قطعا...