با توجه به کاربرد بسیار وسیع قطعات الکترونیکی در تحقیقات فضایی و وجود پرتوهای کیهانی با شدت بسیار زیاد در خارج از جو، یافتن مواد جایگزین سیلیکون و مواد مشابه دیگر با مواد مقاوم در برابر اشعه، نیاز روز تکنولوژی الکترونیک فضایی است. مواد با پایه کربنی، به خاطر ویژگی های الکتریکی جالبی که دارند، و با توجه به پتانسیل بالای آن ها در کاربردهای الکترونیک فضایی مورد توجه تحقیقات علمی قرار گرفته اند. لذ...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...

یک دسته از تئوری های محیط پیوسته مرتبه بالا مثل تئوری غیر موضعی، تئوری تنش کوپله، تئوری اصلاح شده تنش کوپل، تئوری گرادیان کرنش و تئوری اصلاح شده گرادیان کرنش برای مدل کردن سازه ها در ابعاد نانو و میکرو به کار برده شده اند. رفتار مکانیکی نانو صفحات گرافنی و نانو لوله های کربنی تحت یک میدان مغناطیسی توجه قابل ملاحظه ای در میان مجامع علمی را به خود جلب کرده است. ما برای آنالیز کمانش یک تک لایه صفح...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نا...

موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...

در این پژوهش بر پایه نظریه تابعی چگالی و محاسبات اصول اولیه با استفاده از کد سایستا 3 لایه ای گرافن / بورنیترید هگزاگونال / گرافن را در غیاب هرگونه میدان خارجی مورد بررسی قرار داده ایم و انواع حالت های مختلف این 3 لایه ای را با یکدیگر مقایسه و حالت پایه را تعیین و خواص آن را بررسی کردیم. در ادامه اثر میدان الکتریکی خارجی را بر گاف انرژی این 3 لایه ای مورد بررسی قرار دادیم. در انتها نیز این 3 لا...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

گرافن یک ساختار دو بعدی از اتم های کربن است که اتم های کربن در آن با اوربیتال های پیوندی sp2، یک چیدمان شش ضلعی را تشکیل داده اند. ساختار هندسی منحصر به فرد و رفتار نسبیتی حامل های بار باعث ایجاد خصوصیات بسیار جالبی در گرافن می شود. به دلیل این خصوصیات جالب و قابلیت کاربردی، گرافن توجه قابل توجهی را در چند دهه گذشته به خود جلب کرده است. به علاوه مطالعه ساختار الکترونی نقطه ی کوانتومی گرافنی تحت...