چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

در این تحقیق، به شبیه سازی ذره در سلول برهمکنش پالس لیزری با ورقه ی نانو متری از جنس کربن الماس گونه (dlc) پر چگال در یک و نیم بعد به منظور تولید پرتو یونی تک انرژی، پرداخته ایم. ابتدا برهمکنش لیزر- پلاسما و به-طور خاص برهمکنش لیزر با ورقه پلاسمای پر چگال را شرح داده و سپس فرآیندها و دیدگاه های مختلف شتاب دهی الکترون ها و یون ها را بیان نموده ایم. با توجه به تأثیر پارامترهای، ضخامت هدف، شدت و ق...

اندازه گیری ال-سیستئین و کولچیسین در محلول های آبی به کمک الکترود اصلاح شده با نانو هیبرید(گرافن،پلاتین و اکسید آهن)با استفاده از روش آمپرو متری تزریق در جریان و میکرو استخراج مایع-مایع پاشنده شده،اندازه گیری nadh با روش ولتامتری تاخیری و کورنو آمپرو متری به کمک الکترود اصلاح شده با نانو هیبرید(گرافن،پلاتین و اکسید آهن)

هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

درعلم نیمه هادی هرچه ابعاد قطعه کوچکتر میشود اثرهای کانال کوتاه ومکانیک کوانتومی ( وجود ترازهای انرژی گسسته در لایه های الکترونی اتم ) روی مشخصه های ترانزیستور بیشترخود را ظاهرمی سازند ، وترانزیستورهای نانو وایر فت به عنوان یکی از مهمترین قطعات با کاهش قطر کانال به یک سیم نازک ، کنترل کانال را بخوبی انجام میدهند . این قطعات بطور گسترده در تکنولوژی cmos درحال توسعه هستند واین سبب میشود که در مدا...

microsoftinternetexplorer4 زمینه و هدف: وجود فلزات سنگین در منابع آب از مشکلات مهم زیست محیطی بسیاری از جوامع است. این فلزات اثرات خطرناکی بر روی سلامتی انسان دارند. هدف از این مطالعه، بررسی و مقایسه حذف سرب توسط جاذب های نانو و میلی متری خاکستر برگ سدر است. روش بررسی: این مطالعه در مقیاس آزمایشگاهی به صورت ناپیوسته و با تغییر فاکتورهای موثر مانند ph (3، 4، 5، 6، 7 و8)، زمان تماس(5، 10، 15، 30،...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...