نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای مجتمع
تعداد نتایج: 3818 فیلتر نتایج به سال:
ترانزیستور یکی از مهم ترین قطعات الکترونیکی است، که ساخت آن تحول عظیمی در فرآورده های الکترونیکی ایجاد کرد، قبل از اختراع ترانزیستور، از لامپ های خلاء بزرگ و پر مصرف استفاده می شد. ترانزیستور از ادوارات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسییوم و ژرمانیوم ساخته می شود. ساخت ترانزیستورهای کوچک تر همواره از نیازهای انسان بوده است، چرا که سرعت پردازشگرها رابطه ی مستقیمی با تعداد ترانزیس...
وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...
پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...
با پیشرفت تکنولوژی در دهه های اخیر و افزایش اهمیت مدارهای آنالوگ در سیستم های فرستنده-گیرنده مخابراتی، توجه بسیاری از محققین به طراحی سیستم های آنالوگ جلب شده است. امروزه کاربردهای پیشرفته ای برای فرستنده-گیرنده های مخابراتی تعریف شده است که این کاربردها زمینه های تحقیقاتی جدیدی را در دنیا به وجود آورده است. از جمله این کاربردها می توان به شبکه حسگرهای بی سیم و سیستم های شناسه گر فرکانس رادیویی...
در این پایان نامه کاربرد شبکه های عصبی پرسپترون چند لایه و تابع بنیادی شعاعی برای مدل کردن ترانزیستورهای توان بالا و فرکانس بالای ldmos ارائه شده است. اخیرا علاقه به ترانزیستور ldmos به خاطر کاربردهایش در تقویت کننده های توان rf در سیستم های ارتباطی بی سیم افزایش یافته است. اما غیر خطی بودن قطعه مسئله مهمی در این تقویت کننده هاست چون به هنگام اعمال سیگنال های با فرکانس نزدیک به هم در ورودی منجر...
مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی
با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید