نتایج جستجو برای: ترانزیستورها

تعداد نتایج: 171  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

واسط های سریال پرسرعت امروزه به طور گسترده در وسایل همراه، سیستم های چندپردازنده روی چیپ مانند تلفن های همراه هوشمند و تبلت ها به کار می روند. دستیابی به نرخ داده بالا با حداقل توان مصرفی امروزه به عنوان یک چالش در این سیستم ها مطرح است. یک سیستم ارتباطی سریال از چهار جزء تشکیل شده است: 1- فرستنده 2- گیرنده 3- سیستم زمان بندی 4- کانال ارتباطی. تلفات وابسته به فرکانس کانال ارتباطی امروزه مهم تری...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 2013
محمد آقایی جشوقانی مهدی دولتشاهی

در این مقاله یک فیلتر gm-c چند حالته (universal) مرتبه­ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ­های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی­بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (sub threshold) ارائه شده است. بایاس کردن تراتزیستور...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1392

نوسان¬سازهای حلقوی بطور گسترده¬ای در حلقه¬های قفل فاز برای کلاک و تولید پالس ساعت در ریزپردازنده¬ها و بازیابی داده و ترکیب فرکانسی مورد استفاده قرار می¬گیرند. این پایان¬نامه با ارائه یک رویکرد تحلیلی جدید، به استخراج معادلات فرکانس نوسان و نویز فاز نوسان¬ساز حلقوی مبتنی بر گیت معکوس¬کننده می-پردازد. از نقاط قوت این اسیلاتورها قابلیت مجتمع شدن بسیار زیاد آن¬ها و از نواقص آن¬ها نویز فاز نامناسب د...

چکیده: کاهش ابعاد ترانزیستورها در نسل جدید حافظه­های فلش و رهسپار شدن آن‌ها به سمت حوزه­­­های طراحی نانومتر منجر به عدم صحت در برنامه­ریزی و پاک کردن اطلاعات در این طراحی­ها شده؛ درنتیجه قابلیت اطمینان در ذخیره­سازی اطلاعات به چالشی مهم در ساختار این نوع حافظه­ها تبدیل شده است. جهت مقابله با چنین چالشی در کنترل‌کننده این نوع از حافظه­ها از کدهای تصحیح خطا­ی BCH استفاده می­شود. دو نکته­ اساسی در...

با استفاده از معادلات نرخ لیزر خود سامانده نقطه کوانتومی ایندیم گالیم آرسناید - گالیم آرسناید، تابع انتقال این نوع لیزر استخراج و ارائه می شود بطوریکه با بهره گیری از آن می توان انواع تحلیلهای حوزه زمان و پایداری در حوزه فرکانس را انجام داد. در حوزه زمان، تابع انتقال ارائه شده رفتار حالت گذرا و دائمی لیزر را به صورت یکجا محاسبه می کند. همچنین این تابع انتقال می تواند در شبیه سازهای مداری نظیر ا...

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - پژوهشکده فنی و مهندسی 1389

اصطلاح مدل قطعه در استخراج اتوماتیک پارامترهای مدار معادل سیگنال کوچک، برای طراحان ic های مدرن بسیار حائز اهمیت است. ihp در سپتامبر سال 2009 با انجام یک سری شبیه سازی در فرکانس بالا بر روی ترانزیستورها، به مشخصاتی برای sige:c bicmos ها دست یافتند که فرکانس قطع و فرکانس ماکزیمم بالا( >ghz 120) از آن دسته مشخصات اند. hbt های sige:c امروزه به عنوان مهمترین ترانزیستورها در تکنولوژی bicmos استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1392

مشخصه یابی ترانزیستورها و محاسبه پارامترهای مختلف آن ها در نواحی کاری متفاوت و بررسی تغییرات آن ها با تغییر در ولتاژ و دما، از مهم ترین مسائل جهت ارائه مدلی صحیح و دقیق برای ترانزیستور است. اگرچه روش های بسیاری برای استخراج پارامترهای ترانزیستور گزارش شده است، اما از آن جا که برای بهبود بخشیدن به کارایی ترانزیستورها در کاربردهای مختلف، از جمله کوچک سازی، افزایش فرکانس و توان کاری، ساختارهای جدی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1390

در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

تقویت کننده های باند پهن عناصر بسیار مهمی می باشند که در جنگ الکترونیک ، ارتباطات با سرعت زیاد و سیستم های اندازه گیری پهن باند کاربرد زیادی دارند. اولین مثال برای مدارات گسترده به سال 1937 میلادی و مداری که ویلیلم اس. پریسیوال ارائه داد ، بازمیگردد . در آن زمان پریسیوال یک طرح با استفاده از ترنس کانداکتانس یک طبقه لامپ های خلاء ارائه کرد. بنابراین به مداری رسید که می توانست به محصول بهره - پهن...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید