در این مقاله حالت‌های همدوس تعمیم‌یافته فوتون‌کاهیده برای نوسانگرهای ناهماهنگ در یک محیط غیرخطی کر معرفی شده است. سپس تابع ویگنر تعداد- فاز حالت‌های معرفی شده بررسی شده است. تابع ویگنر در بعضی از ناحیه‌ها منفی شده است که ماهیت غیرکلاسیکی این حالت‌ها را نشان می‌دهد. در نهایت ویژگی‌های فازی این حالت‌ها با استفاده از روشتابع توزیع فاز پگ- بارنت مورد بحث قرار گرفته است که نشان می‌دهد این تابع توزیع...

در این تحقیق بس لایه­های فلزی ni-cu/cu با ضخامت زوج لایه­ متفاوت بر روی زیرلایه­های cu با بافت قوی ( 100 ) به روش الکتروانباشت تهیه گردیدند. سپس ساختار این نمونه ها توسط دستگاه xrd و میکروسکپ sem مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. قله های اقماری موجود در طیف xrd ساختار بس لایه­ای و در نتیجه ابرشبکه بودن فیلمها را موردتأیید قرار داد. این طیف نشان داد که بس لایه­ها نیز دارای یک بافت قوی ( 100 ) و ساخ...

در این کار ما به مطالعه خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در یک سه لایه ای مغناطیسی می پردازیم. اتصالات تونلی (mtj) بعلت داشتن ویژگی های منحصر به فرد ازجمله مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا مورد توجه قرار گرفته اند. ساختار مورد بررسی به طور خاص fe-mgo-fe می باشد که به واسطه وجودfe بعنوان یک فرومغناطیس شاهد تغییر در انرژی الکتروستاتیکی ساختار باتغییر در حالتهای اسپینی اتم های مجاور بوسیله کوپل شدن ...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

فتالوسیانین‏ مس یکی از ترکیبات مهم خانواده‏ی فتالوسیانین‏های فلزی است که کاربرد فراوانی درصنعت‏های نساجی و نقاشی به عنوان رنگدانه و همچنین الکترونیک و اپتوالکترونیک به عنوان لایه‏ی بافر در دیود‏های آلی نورگسیل، ترانزیستورهای اثر میدانی آلی،حسگرهای نوری، شیمیایی و غیره دارد. با وجود انجام مطالعات تجربی و نظری روی فتالوسیانین مس، هنوز هم بسیاری از رفتارها و خواص این ماده قابل مطالعه و تحقیق است. ...

محاسبه ساختار الکترونیکی مواد مختلف و توابع طیفی مختلف این مواد برای اندازه های بزرگتر موضوع مطالعات گسترده بوده است. در این پژوهش روش چند جمله ای مغزی (kernel polynomial method) که به اختصار kpm می نامیم را برای بررسی حالت های الکترونی تهی جاهای با ابعاد مختلف در شبکه ی سیلیکان به کار می بریم. مزیت این روش در آن است که بدون آنکه نیاز به قطری کردن ماتریسی باشد، با روش های کاتوره ای چگالی حالات ...

اتم های هادرونی یک آزمایشگاه منحصر به فرد برای مطالعه ی برهمکنش های قوی فراهم می آورد. یکی از این نوع اتم ها که اخیرا مورد مطالعه قرار گرفته است، اتم های کائونی می باشد. پتانسیل هایی که به خوبی برهمکنش بین کائون و هسته را در اتم های متوسط توصیف کرده است، پتانسیل اپتیکی وابسته به چگالی است که توسط فریدمن توسعه یافته است. با استفاده از این پتانسیل و به-کمک روش محاسباتی نومیروف برهمکنش کائون و سرب...

یکی از پارامترهای مهم در آشکارسازهای hpge بازده است که به شدت به هندسه و عوامل جذبی بستگی دارد؛ به طوری که با تغییر پیکربندی در هندسه‎ی نمونه – آشکارساز، نیاز به اندازه‎گیری مجدد بازده آشکارساز است. دقیق‎ترین راه برای تعیین بازده آشکارساز، اندازه‎گیری تجربی و استفاده از چشمه‎های استاندارد مخصوص است. با توجه به مشکل بودن و در عین حال زمان‎بر بودن این روش، استفاده از روش شبیه‎سازی برای تخمین بازد...

در این پایان نامه می خواهیم با استفاده از محاسبه تابع گرین و تحلیل و بررسی رفتار فرکانسی تابع پذیرفتاری باری در محیط سیستم های نانو متری ، صفحه برن نیترید و نانولوله برن نیترید در حضور نظم مغناطیسی بلند برد بر حسب تغییرات قطبیدگی اسپین بپردازیم. تقریب پاسخ خطی را برای محاسبه تابع پذیرفتاری باری بر حسب تابع همبستگی چگالی بار- چگالی بار بکار می گیریم. قله های تیز این تابع نشان دهنده ظهور برانگیخت...

در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...