در این تحقیق سعی بر آن است که برخی ویژگی¬های بلور مایع در حضور ذرات کلوئیدی و نانوذرات مورد بررسی قرار گیرد. در سالهای اخیر به دلیل کاربردهای وسیع بلور مایع آمیخته به ناخالصی¬ها، پیشرفت¬های گسترده¬ای در این زمینه در هر دو بعد تجربی و نظری صورت گرفته است. سمت¬گیری و نظم بلورهای مایع، شدیداً تحت تأثیر عوامل مختلف ناشی از حضور ناخالصی¬ها قرار می¬گیرد. از جمله مهمترین آنها تغییر شکل¬های کشسانی و چنگ...

هدف از این کار تجربی، ارائه و بررسی نتایج حاصل از اندازه گیری مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک در بلور های مایع خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی با درصدهای متفاوت، بدون میدان مغناطیسی و با اعمال میدان است. به این منظور مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک را برای یک بلور مایع خاص (e7 )، در حالت خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی، اندازه گیری می کنیم. برای این کار مولفه های موازی و...

در این مقاله، مسئلۀ ویژه مقداری غیرخطی برای محاسبۀ ساختار نواری فوتونی بلور فوتونیک دوبعدی با استفاده از روش عددی mmp بررسی شده است. ساختار نواری بلور فوتونیک دوبعدی برای دو قطبش te و tm محاسبه شده است.  جزئیات روش محاسباتی شامل چیدمان فضای شبیه­سازی، مدل سازی میدان­های داخل و بیرون جسم، شرایط مرزی تناوبی فرضی شرح داده شده­اند. در طراحی فضای شبیه­سازی خصوصیات فیزیکی منطقۀ اول بریلوئن بلور نظیر ...

روشهای اندازه گیری مقادیر بحرانی و روش رشد تک بلور ba0.72k0.28fe2as2 به طور مختصر بیان گردیده است. انرژی فعال سازی از روی مقاومت ویژه برای دو جهت h||ab و h||c محاسبه گردید. نتایج نشان می دهد که تک بلور ba0.72k0.28fe2as2 با k9/32= tc پتانسیل میخکوبش به بزرگی k 104 دارد که وابستگی خیلی کمی به میدان از خود نشان می دهد. همچنین تک بلور ba0.72k0.28fe2as2 در دماهای پایین و میدان های مغناطیسی بالا همسا...

در این رساله به مطالعه مکانیزم جایگزیده کردن میدان های مادی در مدل های جهان شامه ای پرداخته ایم. در فصل اول مدلهای جهان شامه ای با ابعاد اضافی تخت و بزرگ را مورد توجه قرار داده و مشکل سلسله مراتبی جرمی فرمیون ها در مدل استاندارد را توسط ایده جداسازی فرمیون ها توضیح دادیم. علاوه بر این، به مطالعه جایگزیده کردن فرمیون ها بر روی اربیفلد s_1/z_2 پرداخته و یک پاسخ تحلیلی دقیق برای تابع جایگزیده کنند...

بلور مایع های نماتیک در ساخت ابزارهای فوتونیکی به ویژه در صفحات نمایشگر تخت مورد استفاده قرار می گیرند، وجود یونهای ناخالصی بدونه توجه به سرچشمه آنها باعث بروز مشکلات فراوانی در صنایع تولید صفحات نمایشگر می شود. یونهای ناخالصی یک میدان برهم کنشی داخلی اضافی تحت اعمال میدان خارجی در سلول بلور مایع ایجاد می کنند که باعث بروز مشکلاتی از جمله کاهش در اندازه میدان در دسترس و افزایش در ولتاژ آستانه، ...

پس از انقلابی که نیمرساناها در تکنولوژی ایجاد کردند و موجب گذر بشر از عصر مکانیکی به عصر الکتریکی شدند بلورهای فوتونی دومین انقلاب دنیای تکنولوژی به حساب می آیند. انقلابی که تمام هدفش به اسارت درآوردن ذراتی بنام فوتون است. انتظار می رود در آینده ای نه چندان دور بلورهای فوتونی جایگزین قطعات الکتریکی شده و شاهد تحولی شگرف در صنعت فناوری اطلاعات و مخابرات باشیم. بیشتر کاربردهای بلور فوتونی با ا...

امروزه یکی از هدف های مهم در زمینه ی تحقیقات پیشرفته ی بلور مایع، بالا بردن کارایی بلورهای مایع با استفاده از روش های فیزیکی، بدون نیاز به سنتز شیمیایی جدید است. یکی از روش های ممکن برای رسیدن به این هدف، افزودن ذرات کلوئیدی با ابعاد نانو به عنوان ناخالصی به بلورهای مایع نماتیک است. به گونه ای که با افزودن ناخالصی، می توان خواص یک سامانه را به میزان زیادی تغییر داد و در جهت بهینه سازی هر چه بیش...

در این پایان نامه به بررسی خواص تابشی یک نقطه کوانتومی کروی با پتانسیل تحدید سهموی که درون یک بلور فوتونی جایگزیده شده و تحت تاثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد خواهیم پرداخت. در این راستا ابتدا ساختار و خواص یک بلور فوتونی را مورد مطالعه قرار خواهیم داد. سپس تابع موج و انرژی مربوط به یک نقطه کوانتومی را که تحت تأثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد را در مختصات است...

هدف این مقاله مدل‌سازی پوسته ‌استوانه‌ای بسته کامپوزیتی و محاسبه میدان تنش، مخصوصا تنش‌های برون صفحه‌ای در پوسته‌های استوانه‌ای کامپوزیتی با طول محدود تحت بارگذاری شعاعی ‌می‌باشد. برای فرمول‌بندی مسئله از تئوری لایه‌ای بر مبنای جابه‌جایی بهره‌گیری شده است. با در نظر گرفتن فرم میدان جابه‌جایی مناسب برای پوسته استوانه‌ای کامل، فرمول‌بندی تئوری لایه‌ای برای مسئله استخراج شده است. ابتدا میدان کرنش ...