نتایج جستجو برای: باند امپدانس

تعداد نتایج: 7371  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

آرایه شکافی خطی تغذیه شده با موجبر شیار دار، برای بدست آوردن الگوی تشعشعی جمع و تفاضل در باند x شبیه سازی شد. آرایه شبیه سازی شده پهنای باند امپدانس %13/3 در فرکانس مرکزی 9.75 ghz بدست داد. آرایه از دو زیر آرایه تشکیل شده ، که هر زیر آرایه توسط یک کابل کواکسیال استاندارد تغذیه شده بود. الگوی تشعشعی های صفحه h و e در هر دو حالت جمع و تفاضل رسم شدند. بهره الگوی تشعشعی جمع در بازه 9/5 تا 10/4 گیگا...

در این مقاله یک فیلتر میانگذر فوق‌پهن-باند مایکرواستریپی جدید با استفاده از یک رزوناتور چند- مدی (MMR) بارگذاری شده با استاب طراحی، تحلیل و شبیه‌سازی شده است. ساختار MMR پیشنهادی از یک رزوناتور امپدانس-پله‌ای اصلاح شده‌ی (MSIR) سه-مدی و بارگذاری یک استاب امپدانس‌- پله‌ای خم‌شده (FSIS) ترکیب‌بندی شده است. استاب بارگذاری شده دو مد تشدید دیگر و همزمان دو صفر انتقال تولید می‌کند. ابعاد MMR به گونه‌...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
مژگان محسنی کارشناس ارشد/دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد مهدی دولتشاهی استادیار/دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm cmos طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 67.5 dbω، پهنای باند 3ghz و ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1393

تطبیق کننده¬های امپدانسی از اجزای مهم در مهندسی مایکروویو و طراحی آنتن به شمار می¬روند. به طور مثال در ورودی تقسیم کننده¬های توان موجبری و آنتن¬ها به چنین تطبیق کننده¬هایی نیاز است. در انتخاب شبکه تطبیق امپدانس توجه به مسائلی ازجمله ساده بودن ساخت، قابلیت تطبیق در پهنای باند زیاد، اندازه کوچک و قابل تنظیم بودن با تغییر بار، مهم است. تابه حال روش هایی ازجمله: استفاده از عناصر سلفی یا خازنی مانند...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 2014
سید جمال الدین برهانی محمدامین هنرور عبدالمهدی دادگرپور

در این مقاله یک فیلتر میانگذر فوق پهن-باند مایکرواستریپی جدید با استفاده از یک رزوناتور چند- مدی (mmr) بارگذاری شده با استاب طراحی، تحلیل و شبیه سازی شده است. ساختار mmr پیشنهادی از یک رزوناتور امپدانس-پله ای اصلاح شده ی (msir) سه-مدی و بارگذاری یک استاب امپدانس - پله ای خم شده (fsis) ترکیب بندی شده است. استاب بارگذاری شده دو مد تشدید دیگر و همزمان دو صفر انتقال تولید می کند. ابعاد mmr به گونه ...

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...

در این مقاله یک فیلتر میانگذر فوق‌پهن-باند مایکرواستریپی جدید با استفاده از یک رزوناتور چند- مدی (MMR) بارگذاری شده با استاب طراحی، تحلیل و شبیه‌سازی شده است. ساختار MMR پیشنهادی از یک رزوناتور امپدانس-پله‌ای اصلاح شده‌ی (MSIR) سه-مدی و بارگذاری یک استاب امپدانس‌- پله‌ای خم‌شده (FSIS) ترکیب‌بندی شده است. استاب بارگذاری شده دو مد تشدید دیگر و همزمان دو صفر انتقال تولید می‌کند. ابعاد MMR به گونه‌...

در این مقاله سه فیلتر میانگذر تک‌بانده و دوبانده جدید با اندازه‌های یکسان ارائه شده است، که هر سه فیلتر بر اساس یک ساختار اولیه و با استفاده از فناوری‌ مسطح ریزنوار، طراحی، بهینه‌سازی و ساخته شده‌اند و مورد اندازه‌گیری قرار گرفته‌اند. هر باند عبور ایجاد‌شده، با بکارگیری یکی از دو نوع ساختار رزوناتور موجود، برانگیخته می‌شود. رزوناتورهای بزرگتر بعنوان ساختار اصلی تشکیل‌دهنده فیلتر، دارای فرم امپد...

ژورنال: :مهندسی برق و الکترونیک ایران 0
سعید دل آرام فریمانی s. delaram farimani حسن حاج قاسم h. hajghasem علیرضا عرفانیان a. r. erfanian مجیدرضا علی احمدی m. r. aliahmad

در این مقاله طراحی، شبیه­سازی و ساخت یک سوئیچ خازنی rf mems موازی کم تلف بروی موجبر هم­صفحه و بستر عایق آلومینا، در باند فرکانس ghz 60-40 ارائه شده است. مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر هم­صفحه برای داشتن امپدانس مشخصه ω50 بروی بستر عایق آلومینا طراحی شده، سپس سوئیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن، پارامترهای مهم آن توسط شبیه­سازی المان محدود و موجی کامل با ن...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید