چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پای...

تا کنون الگوریتم های عددی بسیاری برای سیستم های الکترونی همبسته ی قوی ارائه شده و روی سیستم های متعددی نیز به کار گرفته شده اند، همچون روش های مونت کارلو و گروه بازبهنجارش ماتریس چگالی. اما باز هم خاصیت حالت پایه بدلیل نارسایی ابزارهای عددی، یک مسئله ی چالش برانگیز است. در این پایان نامه، روش گروه بازبهنجارش انتگرال مسیر را معرفی می کنیم. این روش می تواند روی هر ساختار شبکه عمل کند و امکان شبیه...

به دلیل رفتار خاص امواج الکترومغناطیسی در محیط های تک منفی، برخی از پدیده های اپتیکی مانند تشدید، تونل زنی کامل، بازتاب صفر و شفافیت در ساختاری دولایه ای از متامواد تک منفی (با یک لایه ی اپسیلون- منفی و یک لایه ی مو- منفی) قابل مشاهده است. اگر فضای داخل یک موجبر با این ساختار دولایه ای پر شود، برخلاف موجبرهای معمولی، این موجبر حداکثر یک مُد را می تواند انتقال دهد و ضخامت آن را نیز می توان به اخت...

یکی از مباحث الکترودینامیک کوانتومی محاسبه سطح مقطع گزار پراکندگی های ذرات باردار است که محاسبه آنها به روش اختلال صورت می گیرد. در اختلالهای مرتبه دوم و بالاتر نامتناهی هایی در نظریه ظاهر می شوند که با ساختار یک نظریه فیزیکی در تناقض اند. در این پایان نامه نشان داده شده است که این نامتناهی را می توان از نظریه حذف نمود. به روشهایی که برای حذف نامتناهی ها وجود دارد بازبهنجارش گفته می شود در این ...

کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

بلور فوتونی محیطی است که تابع توزیع ضریب شکست در آن متناوب و یا شبه متناوب می باشد. بلورهای فوتونی در دهه ی اخیر به خاطر کاربردها و ویژگی های الکترومغناطیسی منحصر به فردشان به یک حوزه ی تحقیقاتی مهمی تبدیل شده اند. با انتخاب آرایش های مختلف از محیط های با خواص نوری معین، ابزارها و ادوات فوتونی طراحی می شوند. ویژگی بارز بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی در طیف تراگسیل می باشد. بطوریکه امواج ال...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی اس...

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب تلوراید جیوه در فاز هگزاگونال مورد بررسی و مقایسه قرار می‌گیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است. . نتایج ساختار نواری نشان‌دهندۀخاصیت نیم‌رسانایی این ترکیب در فاز سینابار می‌باشد. محاسبۀ سهم حقیقی تابع دی‌الکتریک ضریب شکست برای فاز سینابار را 489/4 می‌دهد....