هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

ترکیبات حلقوی تترا پیرولی نظیر پورفیرین‌­ها به علت ایفای نقش اساسی در بدن موجودات زنده، توانایی تجمع در انواع بسیاری از سلول‌­های سرطانی انسانی و هم‌­چنین دارا بودن خواص شیمی- فیزیکی، مغناطیسی و نوری متمایز از اهمیت به سزایی در تحقیقات پزشکی برخوردار بوده و از این‌­رو در طراحی داروهای ضدسرطان و فوتودینامیک‌­تراپی بسیار مفید هستند. به­ سبب خواص تشخیصی برجسته رادیونوکلید گالیوم-68 و رسانش هدف­مند...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...

در این پژوهش تجربی، میکرو/ نانو ساختار های اکسید روی (zno) به روش اسپری، بر روی زیرلایه های شیشه و si(100) نوع p ، تحت شرایط رشد مختلف با استفاده از پیش ماده ی استات روی حل شده در آب دیونیزه، متانول و اسید استیک، تولید شدند. با بررسی نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی (sem) و آنالیز نمونه ها با دستگاه edx به مورفولوژی هایی نظیر مقالات دیگر دست یافتیم. به منظور بهبود در ساختار نمونه ها، تغییراتی د...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش پذیر بر روی زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شده اند. لایه های نمونه با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابت nm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) با زاویه نور خراشان، برای مشخصه یابی ...

در این تحقیق تجربی به بررسی مورفولوژی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی نمونه های اکسید ایندیوم خالص که به روش اسپری پایرولیزیز رشد داده شده اند پرداخته ایم. در این مطالعه برای مشخصه یابی نمونه های رشد یافته از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis-nir، فوتولومینسانس (pl) و مشخصه جریان-ولتاژ (i-v) استفاده کرده ایم. در طی این تحقیق به منظ...

هدف این پژوهش، بررسی اثر جایگزین شدن اتم های سیلیسیوم و گالیوم و برهمکنش مولکول دی نیتروژن اکسید بر پارامترهای ساختاری و الکترونی نانولوله های بورفسفید آرمچیر و زیگزاگ با استفاده از تئوری تابع چگالی است. نتایج نشان داد که انرژی برهمکنش دی نیتروژن اکسید با سطح نانولوله بورفسفید در حالت جایگزین شده با سیلسیم و گالیوم به طور همزمان نسبت به دیگر حالت های جذب بیشترین مقدار را دارد.