در سالهای اخیر خواص اپتیک چاههای کوانتومی، سیم های کوانتومی و نقاط کوانتومی بطور قابل ملاحظه ای مورد توجه قرار گرفته است. مطالعه این ساختارها حوزه های جدیدی را در فیزیک بنیادی نانوفوتونیک و شیمی باز نموده و گستره عظیم و بالقوه ای از کاربردها را برای وسایل اپتوالکترونیک از جمله لیزرهای نیم رسانا، ترانزیستورهای تک الکترونی، حافظه های اپتیکی و آشکارسازهای فوتونی مادون قرمز را پیشنهاد می¬کند. در ای...

با توجه به پتانسیل کاربردی نانوساختارهای sno2 در ساخت حسگرهای گازی، سلول¬های خورشیدی، الکترودهای رسانش شفاف و وسایل اپتوالکترونیک این موضوع انتخاب شد. در این تحقیق، نانوسیم¬های دی¬اکسید قلع به¬روش تبخیر حرارتی، بر روی زیرلایه¬ی سیلیکون تهیه شده¬اند و هم¬چنین اثر پارامترهای مختلف رشد در فرآیند تبخیر حرارتی از قبیل دمای زیرلایه، زمان پخت، دمای واکنش و میزان شار گاز نیتروژن بر اندازه، ساختار و ریخ...

پنتا اکسید وانادیم یک نیمرسانای نوع n است که تراز 3d آن در حال پر شدن است. این اکسید فلزی به شکل فیلم نازک کاربردهای وسیعی در پنجره های هوشمند و کلیدهای اپتیکی دارد. بنابراین، تعیین پارامترهای اپتیکی فیلم نازک v2o5 (شامل ضریب شکست و خاموشی) برای طراحی ابزارهای اپتوالکترونیک و پوششهای اپتیکی به صورت فیلم های اپتیکی نازک چند لایه و فیلترها ضروری است.تا کنون روشها و مدلهای مختلف فیزیکی برای محاسبه...

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ...

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی in(io3)3، در فاز هگزاگونال، در حالت خالص و آلائیده با ناخالصی گالیوم (ga) و آلومینیم (al)، می­باشد. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده­ی خطی (fp-lapw) و تقریب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج به دست آمده از ساختار نواری نشان می­دهد که in(io3)3، یک نیمه­رسانا با گاف نواری غیر مستقیم در راستای m به g، به اند...

روشهای زیادی برای تولید لایه نازک از انباشت اتمها و مولکولها روی یک سطح وجود دارند.در تکنیک های متداول سطح زیر لایه تا چند صد کلوین بالاتر از دمای اتاق گرم می شود. بسیاری از مواد مقاومت چنین دمایی را ندارند لذا می توان بجای گرم کردن زیرلایه از روشهای دیگری برای بالا بردن انرژی اتمها استفاده کرد .گاهی اوقات می توان ذرات یونیزه را به یک چنین انر‍ژی جنبشی بالایی رساند اما متاسفانه اینکار باعث نفوذ...

نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-...

در سال¬های اخیر، گروهی از اکسیدهای فرومغناطیسی رقیق¬شده، که نیمه¬رساناهایی با گاف¬ انرژی پهن هستند و دمای کوری بیشتری نسبت به دمای اتاق دارند، مورد توجه قرار گرفته¬اند. به تازگی، اکسید روی به دلیل قیمت ارزان، فراوانی، سازگاری با محیط زیست، گاف انرژی پهن 3/3 ev ، انرژی بستگی اکسیتونی 60 mev و دسترسی به نمونه¬های حجمی تک بلور با کیفیت بالا و بزرگ به صورت گسترده¬ای مطالعه شده است. اکسید روی به علت...

هدف: هدف ما در این پایان نامه در مرحله اول ساخت نانوساختارهای zno و پس از آن بررسی خواص اپتوالکترونیکی این ساختارها می باشد. امروزه ساخت نانوساختارهای یک بعدی به واسطه کاربردهای فراوان صنعتی بسیار مورد توجه قرار گرفته است.در سالهای اخیر نانوساختارهای zno مانند نانو سیم ها، نانومیله ها، نانونوارهاونانوفیبرها به روش های مختلف سنتز شده اند.zno نیمه هادی با گاف انرژی عریضی در حدود ev37/3 می باشد و ...