در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجا...

نمونه های آمورف با استفاده از روش فرونشانی مذاب تهیه شده اند. مطالعه رسانش الکتریکی جامدات آمورف و بویژه شیشه های اکسیدی یکی از زمینه های علمی مورد علاقه در فیزیک حالت جامد و علم مواد است. در این کار، مبتنی بر کاربردهای وسیع شیشه های اکسیدی فلزات واسطه، رسانش الکتریکی نمونه های حاضر در گستره دمایی296-180 درجه کلوین اندازه گیری شد و نتایج نشان می دهد که انرژی فعال سازی رسانش الکتریکی با افزایش ت...

در این مقاله با استفاده از تقریب های چگالی اسپین موضعی (lsda) و چگالی اسپین موضعی بعلاوه انرژی هابارد (lsda+u) در چارچوب نظریه تابعی چگالی ابتدا چگالی حالت های کل ، جزئی و همچنین گشتاور مغناطیسی اتم ها محاسبه و سپس با توجه به نتایج بدست آمده خواص الکترونی و مغناطیسی منگنایت ndmno3 مطالعه شده است. محاسبه انرژی حالت پایه سیستم نشان داد فاز پایدار سیستم فرومغناطیس است. همچنین این بررسی نشان داد که...

در این مقاله با استفاده از تقریب های چگالی اسپین موضعی (lsda) و چگالی اسپین موضعی بعلاوه انرژی هابارد (lsda+u) در چارچوب نظریه تابعی چگالی ابتدا چگالی حالت های کل ، جزئی و همچنین گشتاور مغناطیسی اتم ها محاسبه و سپس با توجه به نتایج بدست آمده خواص الکترونی و مغناطیسی منگنایت ndmno3 مطالعه شده است. محاسبه انرژی حالت پایه سیستم نشان داد فاز پایدار سیستم فرومغناطیس است. همچنین این بررسی نشان داد که...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

در این مقاله به مطالعه تحلیلی رسانش الکترونی یک چندپار پلی پارافنیلن که بین دو هادی ساده قرار گرفته در رهیافت تنگابست و با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته شده است. ابتدا هامیلتونی چندپار پلی پارافنیلن را به هامیلتونی زنجیره پلی استیلن مانند تبدیل کرده و سپس روابط تحلیلی را به کمک روش تابع گرین برای محاسبه ی ضریب عبور الکترونی به دست می آوریم. در نتایج عددی سامانه با در...

در این مقاله با استفاده از تقریب های چگالی اسپین موضعی (LSDA) و چگالی اسپین موضعی بعلاوه انرژی هابارد (LSDA+U) در چارچوب نظریه تابعی چگالی ابتدا چگالی حالت های کل ، جزئی و همچنین گشتاور مغناطیسی اتم ها محاسبه و سپس با توجه به نتایج بدست آمده خواص الکترونی و مغناطیسی منگنایت NdMnO3 مطالعه شده است. محاسبه انرژی حالت پایه سیستم نشان داد فاز پایدار سیستم فرومغناطیس است. همچنین این بررسی نشان داد که...

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

در این مقاله به مطالعه تحلیلی رسانش الکترونی یک چندپار پلی پارافنیلن که بین دو هادی ساده قرار گرفته در رهیافت تنگابست و با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته شده است. ابتدا هامیلتونی چندپار پلی پارافنیلن را به هامیلتونی زنجیره پلی استیلن مانند تبدیل کرده و سپس روابط تحلیلی را به کمک روش تابع گرین برای محاسبه ی ضریب عبور الکترونی به دست می آوریم. در نتایج عددی سامانه با در...

در این مقاله رسانندگی الکترونی یک بسپار پلی پیرول ( ppy ) متصل به دو هادی فلزی در رهیافت بستگی قوی و به روش تابع گرین بررسی شده است. در ابتدا ساختار پلی پیرول را به کمک روش بازبهنجارش، به یک ساختار یک بعدی تبدیل کرده، سپس رسانندگی آنرا برحسب طول بسپار، انرژی پرش اتصال با هادی ها به دست آورده ایم. نتایج نشان می دهد که در نواحی گاف، با افزایش طول و کاهش انرژی پرش اتصال ها، رسانش الکترونی کاهش می ...