آرایه های منطقی برنامه پذیر در حوزه کار (fpga) به یکی از عمومی ترین واسطه های پیاده سازی مدارات دیجیتال تبدیل شده اند. در طی پانزده سالی که از معرض آنها می گذرد، اکثر تحقیقات انجام شده بر روی fpga ها در راستای کاهش مساحت و افزایش سرعت کار آنها بوده است . زیرا fpga ها به خاطر اینکه انعطاف پذیر ترین افزاره های برنامه پذیر هستند، نسبت به دیگر واسطه های پیاده سازی کندتر و بزرگتر می باشند. معماری مو...

در این پایان نامه به بررسی و تحلیل عملکرد آشکارساز نوری با ساختار ترانزیستوری و ناحیه فعال از جنس نانونوار گرافین پرداخته شده است. در این راه ابتدا نانونوار گرافین معرفی و شیوه به دست آوردن هامیلتونین آن با رویکرد تنگ بست توضیح داده شده است. با استناد به نتایج حاصل از شبیه سازی ها در رویکرد تنگ بست نیاز به در نظر گرفتن سه همسایگی اول و آثار لبه ای مشهود است. سپس با استفاده از قانون طلایی فرمی ض...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای pd soi در مقیاس 45 نانومتر ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ise-tcad نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مق...

درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مج...

سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کا...

در این پایان نامه نقش شدت نور بر روی رابطه پراکندگی فراماده هذلولی بررسی می شود. با استفاده از اثر غیرخطی کر در طلا و گرافن سه نوع سوئیچ تمام نوری طراحی خواهد شد. در ضمن با استفاده از قابلیت تنظیم پذیری پتانسیل شیمیایی گرافن از طریق اعمال بایاس خارجی یک سوئیچ الکترو-نوری نیز طراحی می شود. عمل کرد این افزاره ها برخلاف افزاره هایی ای که تاکنون ارائه شده است به زاویه تابش وابستگی ندارد. در ضمن ساخ...

کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک...

استفاده از افزاره های الکترونیکی بر پایه نیمرساناهای گاف پهن بدلیل قابلیت های بالای آن به عنوان سنسور گازی با استقبال مواجه شده است. استفاده از این افزاره ها به عنوان سنسور گازی نسبت به سایر سنسورها دارای مزایایی چون: آشکارسازی گازها در غلظت بسیار پایین، قابلیت کارکردن در دماهای بالا و پاسخ دهی سریع تر می باشد. در این پایان نامه عملکرد سنسورهای هیدروژن فلز-نیمرسانا-فلز (msm) و فلز-عایق-نیمرسانا...

کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزاره?هایی است که در تکنولوژی soi ساخته می?شوند. روش?های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره?های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک?های اضافی از کاربردی?ترین روش?های افزایش ولتاژ شکست می?باشند. با توجه به اینکه کاهش میدان الکتریکی موجب افزایش ولتاژ شکست می?شود در نتیجه با کم کردن میدان الکتریکی در کانال می?توان ولتاژ شکست را ا...

هدف این پایان نامه دکتری بررسی عملکرد ترانزیستوری دیود اثر میدانی (fed) است. ساختار این دیود مشابه با یک mosfet می باشد، بطوریکه آلایش سورس و درین آن متفاوت بوده و دارای دو گیت بر روی کانال است. این ترانزیستور قابلیت روشن و خاموش شدن با ولتاژ گیتها را دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده از نرم افزار minimos-nt نشان می دهد که این ترانزیستور با ساختار معمولی آن در ابعاد میکرومتری ...