در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

در این رساله بر همکنش های یک نقطه کوانتومی با نور کوانتومی و دینامیک اتلافی یک الکترون به دام افتاده در یک نقطه کوانتومی موردمطالعه قرارگرفته است. در بخش اول این رساله، نقش میدان های موضعی در پاسخ خطی وغیر خطی یک نقطه کوانتومی برهمکنش کننده با نور کوانتومی بررسی گردیده است. هامیلتونی سیستم بر پایه ی هامیلتونی برهمکنش جفت الکترون- حفره با میدان فرودی و یک جمله جداگانه به عنوان پاسخی برای اثر واق...

در این پایان نامه به بررسی خواص درهم تنیدگی کوانتومی در یک سامانه ی فیزیکی شامل دو الکترون اسپینی حبس شده در دو نقطه ی کوانتومی جفت شده می پردازیم. در این زمینه نحوه ی تولید، حفظ و دست کاری درهم تنیدگی در سامانه ی مذکور و همچنین به کارگیری آن در اجرای پروتکل های دوربری کوانتومی و دوربری درهم تنیدگی را مطالعه می کنیم. در وضعیتی که تابع موج الکترونها با هم همپوشانی ندارند و درنتیجه تونل زنی کوانت...

برهمکنش اسپین- مدار راشبا ناشی از نبود تقارن وارونی ساختاری پتانسیل محدود کننده ی الکترونها درسیستمهایی مانند دیواره های کوانتومی یا چاههای کوانتومی ناشی می شود. اهمیت برهمکنش راشبا در این است که برخلاف اثر اسپین- مدار درسلهاوس یک اثر ذاتی و معین است و می توان به وسیله ی ولتاژ گیت خارجی قدرت این برهمکنش را تغییر داد. در این رساله به بررسی جامع برهمکنش اسپین- مدار راشبا و دینامیک اسپین در حضور...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...

در این پایان نامه، پیکربندی اسپینی و ترابرد وابسته به اسپین در سیلیسین مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. سیلیسین یک ساختار لانه زنبوری تک لایه از اتم های سیلیکون می باشد که برهم کنش اسپین-مدار ذاتی در آن بر خلاف گرافین درخور توجه است. پیش تر با استفاده از روش تنگ-بست مدل هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط kو kبه دست آمده است. با استفاده از این هامیلتونی و با در نظ...

اسپین و تکانه زاویهای مداری دو درجه آزادی مستقل فوتونها هستند که در عبور از ماده ناهمسانگرد میتوانند با یکدیگر برهمکنش داشته و جفت شوند. برهمکنش اسپین–مدار باعث تأثیر دوجانبه قطبش و مسیرنور میشود که فاز بری و اثر هال اسپین نوری نام دارند. فاز بری مسئول انتقال موازی بردار قطبش در طول مسیر است، در حالی که در اثر هال اسپین نوری دو مولفه اسپین نور( قطبشهای دایروی راستگرد و چپگرد) در عبور یا بازتاب ...

در این پژوهش ابتدا ضریب ژیرومغناطیسی نقطه ی کوانتومی استوانه ای گالیم آرسنید با پتانسیل سهموی، را در حضور میدان های خارجی و برهم کنش اسپین-مدار راشبا، بررسی کرده و در ادامه با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی، ضرایب جذب خطی و غیرخطی، مورد مطالعه قرار می گیرند. با در نظر گرفتن تقریب جرم موثر و با استفاده از نظریه ی اختلال، معادله‎ی شرودینگر را برای نقطه کوانتومی حل کرده و ویژه‎مقادیر انرژی و ویژه ...

هدف از این پژوهش، مطالعه ی خواص ساختاری و الکترونی ترکیب pute در فازهای کلرید سدیم )) و کلرید سزیم ( ) با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی و امواج تخت بهبودیافته ی خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) با استفاده از نرم افزار محاسباتی می باشد. محاسبات با استفاده از تقریب gga در حضور برهم‎کنش اسپین مدار و در غیاب آن و هم چنین باحضور پتانسیل اوربیتالی انجام شده است. هم چنین محاسبات مربوط به قطبش اسپینی برا...