کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...

. در این تحقیق ابتدا نحوه شکل گیری حلقه های مزوسکوپی در مرز دو نیمه رسانای ناهمگون بررسی شد. سپس ترابرد اسپین و رسانندگی هال اسپینی و همچنین تاثیر شدت جفت شدگی اسپین-مدار و تأثیر میدان مغناطیسی خارجی در حلقه های مزوسکوپی چهار پایانه ای مورد بررسی قرار گرفت.نشان داده شده است که اگرچه اثر راشبا موجب شکافت اسپینی ترازهای انرژی می¬شود اما از میزان قطبیدگی اسپینی ترازها می¬کاهد که این موضوع تأثیر نا...

در سالهای اخیر با پیشرفت در کوچک سازی قطعات نیمرسانای تونلی، جنبه زمانی فرایند تونل زنی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. علاوه بر اهمیت ذاتی کوانتوم مکانیکی مسئله، زمان تونل زنی از نظر فهم دینامیک تونل زنی در قطعات با سرعت بالا نیز از اهمیت بسزایی برخوردار است، زیرا زمان تونل زنی پارامتر کلیدی در تعیین راندمان قطعات الکترونیکی می باشد. با توسعه شاخه جدید اسپینترونیک، زمان تونل زنی حاملان بار با ...

در این مقاله انرژی پیوند، خواص الکترونی و مغناطیسی نانو خوشه های آهن 2 تا 9 اتمی در چارچوب محاسبات کوانتومی با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی اسپین- قطبیده و با تقریب ggaمورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد گشتاور مغناطیسی هر اتم در خوشه آهن بزرگتر از گشتاور مغناطیسی هر اتم در بلور آن می باشد و با افزایش اندازه خوشه به سمت گشتاور مغناطیسی هر اتم در بلور آهن پیش می رود. به علاوه انرژی پی...

در این تحقیق ما به مطالعه همدوسی ترابرد کوانتومی در یک اتصال گرافینی فرومغناطیس – ابررسانا - فرومغناطیس در چارچوب نظریه bcs و با استفاده از معادله شبه ذرات dbdg پرداختیم. ترابرد همدوس برای ناحیه ابررسانا با پهنای محدود دارای دو ویژگی یکی است، وجود ترابرد الکترونی در انرژی های کمتر از گاف ابررسانا و دیگری نوسان رسانش دیفرانسیلی در انرژی های بالاتر از گاف است. همچینین ما صفر شدن دوره ای بازتاب آن...

باپیشرفتهایاخیردرتکنولوژینانو،توجهزیادیبهترابردکوانتومیازساختارهایفلزعادیونیمرسانایمتصلبهابررساناشدهاست. اینتوجهبهدلیلکاربردهایممکنچنینساختارهایی درقطعاتالکترونیکیمیباشد. قطعاتالکترونیکیمعمولیبراساسشارشبارالکترون-هاطراحیمیشوند،درحالیکهقطعاتاسپینترونیکیبراساسجهتوتعداداسپین هایعبوریطراحیمی شوند. درقطعاتاسپینترونیکیمثلپیوندهایتونلیمغناطیسی،جریانقطبیدهاسپینیزمانیرخمی-دهدکهعدمتوازنیبینحاملهایاسپین...

اسپینترونیک شاخه ی جدیدی از نانوالکترونیک است که بر استفاده از اسپین الکترون برای ساخت قطعات الکترونیکی جدید با کارایی بالاتر نسبت به الکترونیک سنتی تاکید دارد. نانوساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی عناصر اصلی اسپینترونیک را تشکیل می دهند. مطالعه ی خصوصیات ساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی به دلیل پتانسیل بالای آنها برای کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی جدید بسیار مورد توجه قرار گر...

الف) برهم کنش بین رادیکال های دوتایی 5،4،2،1 - تترا متیلن بنزن (tmb)، دی کلرو کاربن(ccl2) و مولکول اکسیژن در حالت سه تایی (o2) با لایه ی گرافنی خالص با ابعاد 6×4 (4×6 pure) و نانونوارهای گرافنی زیگزاگ با ابعاد 4×4 (4×4 zgnr) و دسته صندلی با ابعاد 4×8 (8×4agnr) در موقعیت های مختلف برای کاربرد در صنعت اسپینترونیک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. مولکولtmb در سه موقعیت افقی، عمودی و مورب بر روی هر ی...

در این کار ما به مطالعه خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در یک سه لایه ای مغناطیسی می پردازیم. اتصالات تونلی (mtj) بعلت داشتن ویژگی های منحصر به فرد ازجمله مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا مورد توجه قرار گرفته اند. ساختار مورد بررسی به طور خاص fe-mgo-fe می باشد که به واسطه وجودfe بعنوان یک فرومغناطیس شاهد تغییر در انرژی الکتروستاتیکی ساختار باتغییر در حالتهای اسپینی اتم های مجاور بوسیله کوپل شدن ...

اسپینترونیک که امروزه جایگاه خاصی در صنعت الکترونیک پیدا کرده است نیازمند یک منبع جریان اسپینی خالص و کاملا" قطبیده است که یکی از روشهای تولید آن عبور جریان الکتریکی از درون نیم فلز فرومغناطیس است. در این میان ترکیبات با ساختار سولفید – روی از اهمیت ویژه¬ای برخوردار هستند. بر آن شدیم تا خواص نیم¬فلزی را در انبوهه , سطوح و نانولایه های ترکیب دوتایی nase را با ساختار zb بررسی کنیم. شاید این ترکیب...