نتایج جستجو برای: اثر بازپخت
تعداد نتایج: 148677 فیلتر نتایج به سال:
در این تحقیق لایه های نازک سیستم دوتایی اکسید تنگستن – اکسید وانادیوم بر روی بسترهای شیشه ای به روش شیمیایی اسپری پایرولیزیز تهیه شدند. اثر ناخالصی وانادیوم، دمای بستر و فرایند بازپخت بر روی خواص ساختاری، مورفولوژی سطحی و خواص اپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن بررسی شد. آنالیز xrdنشان داد که لایه ها قبل از بازپخت ساختاری آمورف دارند. فرایند بازپخت باعث بهبود نظم بلوری لایه ها می شود و لایه ها ب...
لایه های نازک تیتانیوم با روش تبخیر به وسیله باریکه الکترونی با ضخامت 70 نانومتر تهیه و سپس در دماهای مختلف k 573-300 در حضور شار ثابت اکسیژن بازپخت شدند. نانو ساختار و جهت های کریستالو گرافی با استفاده از آزمایش پراش پرتو-x تحلیل و خواص اپتیکی نمونه ها با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر بررسی شد. با بازپخت نمونه ها نتایج حاصل از xrd شکل گیری جهت کریستالی a(004) مربوط به فازآناتاس دی اکسید ...
به کمک شبیه سازی دینامیک مولکولی می توان تحلیل کوتاه مدت در مقیاس زمانی چند ده پیکوثانیه ای را برای مواد آسیب دیدهی تابشی مورد مطالعه قرار داد. بر همین مبنا این سازی، تعداد تعادلی عیوب نقطه بین نشین و تهی جای مختصات مکانی آنها آهن- آلفا دست آورده شد. سپس با استفاده از نتایج حاصل شده، مونت کارلوی جنبشی شیء منظور بررسی تأثیر بازپخت آلفای انجام نشان دادند که یکنواخت دیده ی تنها خوشه جای ب...
اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جملههای خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...
بررسی تاثیر تغییرات دما- زمان بازپخت در تخلخل و حساسیت لایه های نازک wo3 به گاز no2
ن نیکلایت با فرمول عمومی la2-xsrxnio4و با در صد آلایش 33/0 x ≈ به روش سل- ژل تهیه شد. با تغییر در دمای بازپخت و پارامترهای رشد سعی شد ذراتی با اندازه های دانه متفاوت ایجاد شود. ساختار بلوری و خصوصیات فیزیکی آن ها به وسیلۀ تکنیک های طیف پراش پرتو x، تبدیل فوریه طیف عبوری مادون قرمز، طیف سنجی پاشندگی انرژی پرتو x ساطع شده، میکروسکوپ الکترونی روبشی و اندازه گیری مقاومت الکتریکی با دما بررسی شد. ن...
لایه های نازک سولفید روی به علت کاربردهایشان در وسایل اپتوالکترونیک مانند دیودها، نمایشگرهای صفحه تخت و پوشش های ضد بازتاب در فناوری های سلول های خورشیدی، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از میان انواع روش های لایه نشانی سولفید روی، اسپری گرمایی به دلیل هزینه کم، سادگی، توانایی کنترل شدت لایه نشانی و تهیه لایه های یکنواخت و قابلیت لایه نشانی بر روی سطوح بزرگ، روشی کارآمد می باشد. در این تحقیق،...
چکیده در این پایان نامه لایه های نازک اکسید مس آلومینیوم (cualo2) با ضخامت متوسط nm150به روش سل ـ ژل چرخشی و غوطه وری آماده شدند. به منظور بدست آوردن شرایط بهینه سنتز این نمونه ها، اثر پارامتر هایی نظیرنوع زیرلایه، دمای خشک سازی و دمای بازپخت، اتمسفر محیط بازپخت و نسبت مولی آلومینیوم به مس روی خواص ساختاری و اپتیکی نمونه ها بررسی شد. نتایج این مطالعه نشان داد که برای تبلور ساختار بلوری cualo2،...
نتایج این پایاننامه نشان میدهد که هر چند آلیاژهای آمورف خام (بازپخت نشده) خود کاندید مناسبی برای اثر امپدانس مغناطیسی میباشند با بازپخت میتوانیم خواص مغناطیسی مواد را اصلاح کرده به طوری که نرمی و نفوذپذیری مغناطیسی را افزایش، و تنگش مغناطیسی را کاهش داد و در آنها ساختار نانو و ناهمسانگردی مغناطیسی، القاء و ایجاد کرد. بازپخت در محیط هوا باعث اکسید شدن سطح نمونه و ایجاد نانوبلورکهای سطحی می...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید