دو نوع برهمکنش اسپین- مدار راشبا و درسلهاوس به ترتیب ناشی از نبود تقارن وارونی دیواره های گیرانداز و نبود تقارن وارونی حجمی در یک سیستم هستند که در کنترل مغناطش اسپین رسانش نقش اساسی دارند.ما در این رساله به بررسی جامع این دو نوع برهمکنش پرداخته و با استفاده از مدل نیمه کلاسیک و حل معادله بولتزمن در چارچوب تقریب زمان واهلش، اثر این برهمکنش ها را بر روی خواص مگنتو الکتریک مانند جگالی اسپینی هم د...

پیشرفت های اخیر در زمینه ی فناوری ساخت نیم رساناها، امکان ساخت نقطه های کوانتومی نیم-رسانا با ابعاد نانومتری را فراهم ساخته است. قابلیت تنظیم اندازه، شکل و تعداد الکترون ها، نقاط کوانتومی را به یکی از موضوعات بسیار مهم در فیزیک ماده چگال تبدیل کرده است. محدودیت کوانتومی سه بعدی در این ساختارها، ترازهای انرژی را کاملاً گسسته نموده و خواص الکترونی و نوری آن ها را تغییر داده است. علاوه بر موارد ذ...

در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل ...

در این پژوهش ابتدا ضریب ژیرومغناطیسی نقطه ی کوانتومی استوانه ای گالیم آرسنید با پتانسیل سهموی، را در حضور میدان های خارجی و برهم کنش اسپین-مدار راشبا، بررسی کرده و در ادامه با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی، ضرایب جذب خطی و غیرخطی، مورد مطالعه قرار می گیرند. با در نظر گرفتن تقریب جرم موثر و با استفاده از نظریه ی اختلال، معادله‎ی شرودینگر را برای نقطه کوانتومی حل کرده و ویژه‎مقادیر انرژی و ویژه ...

. در این تحقیق ابتدا نحوه شکل گیری حلقه های مزوسکوپی در مرز دو نیمه رسانای ناهمگون بررسی شد. سپس ترابرد اسپین و رسانندگی هال اسپینی و همچنین تاثیر شدت جفت شدگی اسپین-مدار و تأثیر میدان مغناطیسی خارجی در حلقه های مزوسکوپی چهار پایانه ای مورد بررسی قرار گرفت.نشان داده شده است که اگرچه اثر راشبا موجب شکافت اسپینی ترازهای انرژی می¬شود اما از میزان قطبیدگی اسپینی ترازها می¬کاهد که این موضوع تأثیر نا...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هستند برای استفاده در فناوری اسپینترونیک پیشنهاد شده است. یک کاندیدای مناسب برای چنین کاربردهایی، تک لایه ای از اتم های ...

در این پایان نامه به بررسی خواص درهم تنیدگی کوانتومی در یک سامانه ی فیزیکی شامل دو الکترون اسپینی حبس شده در دو نقطه ی کوانتومی جفت شده می پردازیم. در این زمینه نحوه ی تولید، حفظ و دست کاری درهم تنیدگی در سامانه ی مذکور و همچنین به کارگیری آن در اجرای پروتکل های دوربری کوانتومی و دوربری درهم تنیدگی را مطالعه می کنیم. در وضعیتی که تابع موج الکترونها با هم همپوشانی ندارند و درنتیجه تونل زنی کوانت...

دستکاری همدوس اسپین الکترون، یکی از اساسی ترین مباحث در اسپینترونیک و محاسبات کوانتومی با اسپین است. اسپین الکترون که در نقطه کوانتومی محبوس شده است، می تواند به عنوان بیت کوانتومی برای ذخیره و پردازش اطلاعات استفاده شود. یک رجیستر کوانتومی شامل آرایه هایی از چنین اسپین های 2/1- هستند که توسط گیت های کوانتومی بر روی تک اسپین ها و اسپین های مجاور اعمال می شود . ساده ترین رجیستر کوانتومی، رجیستری...

ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست ...