مواد فروالکتریک پایه سربی و علی الخصوص pb(zrti)o3 به علت دارا بودن خواص پیزوالکتریک عالی دارای کاربردهای وسیعی در عملگرها ، حسگرها و مبدل های پیزوالکتریک هستند. از طرفی، بیش از 60 درصد وزنی این ترکیبات را سرب تشکیل می دهد. با در نظر گرفتن سمی بودن سرب تلاش های فراوانی به منظور گسترش موادی سازگار با بدن و محیط زیست صورت گرفته است. در این پژوهش سرامیک نایوبات پتاسیم-سدیم (knn) به عنوان مهمترین خا...

هگزافریت های مغناطیسی سخت به علت مقاومت الکتریکی بالا، ناهمسانگردی مغناطیسی تک محوری بالا و مغناطش اشباع بالا، کاربردهای بسیار مهمی در صنعت دارند. در میان آن ها، هگزافریت استرانسیوم (srfe12o19)، دارای بهترین خواص مغناطیسی می-باشد. ما در این پایان نامه برای بهبود خواص ساختاری، مغناطیسی و دی الکتریکیsrfe12o19، به منظور کاربردهای گوناگون از قبیل محیط های ضبط مغناطیسی و تجهیزات میکروویو، آن را با ع...

این پایان نامه به مساله انتقال انرژی در سیستمهای نانو مقیاس می پردازد. هدف نهایی ما محاسبه نرخ انتقال انرژی بین یک کره نانو مقیاس و یک نیم فضای ناصاف است. ابتدا تابع گرین دیادیک را برای دو نیم فضای مسطح یکی با ضریب دی الکتریک ?1 و دیگری با ضریب دی الکتریک ?2 را محاسبه می کنیم. سپس نشان می دهیم که چگونه می توان با روش اختلالی، اثر ناهمواری مرز مشترک را بر تابع گرین دیادیک محاسبه کرد. با دانستن ...

sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه های نازک (teos )تهیه شده به روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات ، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی گراد پرداخته شده uv-vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه های...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

کنترل جریان در لایه مرزی، یکی از اساسی¬ترین موضوعات علم آیرودینامیک است. معمولأ کنترل جریان با هدف کنترل جدایش در لایه مرزی صورت می¬گیرد. امروزه استفاده از محرک¬های فعال الکتروهیدرودینامیکی، به دلیل دسترسی و سادگی نصب، عدم نیاز به تعمیرات خاص، زمان پاسخ بسیار کوتاه و مصرف انرژی بسیار کم، بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در این مقاله، با استفاده از یک هندسه یکسان، اثرات وجود مانع دی¬الک...

در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

در این پایان نامه، یک صفحه دوبعدی با سطحی ناهموار در نظر گرفته شد و تاثیر پارامترهای ناهمواری بر تابع دی الکتریک بررسی شد و نمودارها نشان داد که قسمت موهومی تابع دی الکتریک که معرف جذب می باشد، با افزایش طول همبستگی (میانگین فاصله بین پیک های ناهمواری سطح) و ارتفاع ناهمواری (میانگین ارتفاع ناهمواری ها)، افزایش می یابد. افزایش این دو پارامتر، تاثیر قابل توجهی بر فرم تابعی قسمت موهومی تابع دی ال...

در این مقاله خواص الکترونیکی و نوری پروسکایتهای آلی، در فاز مکعبی ، برای ساختارهای متیل آمونیوم و فورمامیدینیوم سرب یدید ، برومید و کلرید براساس نظریه تابعی چگال و با استفاده از نرم افزار quantum espresso و با انرزی جنبشی قطع 408 الکترون ولت و شبه پتانسیل هایی با تابع PBE و تقریب GGA مورد استفاده قرار گرفته است. در این راستا، ثابت شبکه ، ساختار الکترونیکی ، طیف جذبی ، رسانندگی اپتیکی ، ضریب شکس...

چکیده - در این مقاله یکی از جدیدترین فرآیندهای ماشینکاری تحت عنوان ماشینکاری تخلیه الکتریکی خشک که از مهمترین تفاوت های آن در مقایسه با تخلیه الکتریکی معمولی استفاده از دی الکتریک گازی و سرعت دوران الکترود ابزار می باشد، مورد بررسی قرار گرفته است. با در نظر گرفتن ولتاژ دهانه ماشینکاری، جریان، زمان روشنی و خاموشی پالس، فشار گاز دی الکتریک و سرعت دوران الکترود به عنوان متغیرهای ورودی مؤثر در فرآی...