سیلیکان متخلخل (ps) ماده ای است که توسط فرآیند سونش با روش آندیزاسیون الکتروشیمیایی سطح سیلیکان بدست می آید.این ماده خصوصیات متفاوتی را در مقایسه با سیلیکان از خود بروز می دهد،برای مثال بالا بودن نسبت سطح به حجم آن، که منجر به به کارگیری اش به عنوان حسگر گازی شده است. به منظور بهبود خواص الکتریکی سیلیکان متخلخل، برومو ایندیم فتالو سیانین (brinpc) روی آن لایه نشانی شده است، در نتیجه قطعه ی ساند...

به دلیل اهمیت اندازه گیری ضخامت و شناسایی لایه های نازک، روش های گوناگونی برای تشخیص و تعیین این لایه ها به کار گرفته شده است. بیناب نگاری شکست القایی لیزری (libs) نیز در دهه ی اخیر به عنوان یک ابزار تشخیصی برای شناسایی لایه های نازک مورد توجه قرار گرفته است. بی نیازی از آماده-سازی نمونه، سرعت به کارگیری آن برای گستره ی وسیعی از عنصر ها، حتی از راه دور، از جمله ی برتری-های این روش به شمار می آی...

در این مطالعه، نیترید کربن گرافیتی (g-C3N4) از چگالش گرمایی ملامین در دو دمای 450 و 550 درجه سانتیگراد ساخته شد. همچنین، الکترود نانوساختارهای متخلخل دی اکسید تیتانیوم (TiO2 NP) به عنوان بستر برای لایه نشانی g-C3N4 با روش آندیزاسیون بر روی فویل تیتانیوم (Ti) ساخته شد و سپس برای بهبود رسانندگی الکتریکی به روش الکتروشیمیایی احیا گردید. لایه ن...

Humidity sensors are fabricated based on nanoporous alumina, using hard anodization technique. In order to investigate the effect of the anion incorporated in the alumina template during anodization, two different kinds of sensors, wall and barrier layer sensor, with various current densities at 38 V and 44 V anodization voltages are fabricated. The effect of frequency measurement, ranging from...

چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغ...

چکیده ندارد.

در این تحقیق به بررسی قطر دهانه ی حفره بر روی پارامتر های پاسخ حسگر رطوبتی آلومینای حفره دار پرداخته می شود. برای انجام این تحقیق ابتدا یک بستر آلومینای حفره دار به روش آندیزاسیون سخت در ولتاژ 137 ولت و با فاصله ی بین حفره ای 274 نانومتر وقطر دهانه ی حفره ی 55 نانومتر ساخته می شود سپس قطر حفره ها به روش سونش شیمیایی افزوده می شود. برای این کار نمونه های آندایز شده برای زمان های 5، 10، 15، 20،25...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.