درجه بندی محصولات کشاورزی همواره موضوع تحقیق دانشمندان بوده است. یکی از زمینه های مورد مطالعه درجه بندی میوه براساس میزان رسیدگی آن است. روش های مختلفی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه به کار گرفته شده است که بعضی از این روش ها مخرب و برخی دیگر غیر مخرب هستند. در این تحقیق از روش غیرمخرب خازنی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه ی موز استفاده شده است. رابطه میزان رسیدگی با ثابت دی الکتریک میوه در بسامد یک...

هدف این پایان نامه محاسبه نظری حداکثر حاصلضرب ضریب تطبیق-پهنای باند آنتن های مایکرواستریپ بر اساس قضیه های تطبیق امپدانس باند وسیع بد-فانو و یولا می باشد. از آنجا که قضیه های بد-فانو و یولا به مدار معادل فشرده آنتن های مایکرواستریپ اعمال می شود، در این پروژه نخست روش های محاسبه مدار معادل فشرده آنتن های مایکرواستریپ تشریح می شود. بعد از معرفی مدار معادل باند باریک چند آنتن مایکرواستریپ نمونه ای...

آنتن آرایه انتقالی به عنوان جایگزین آنتن لنز دی الکتریک شناخته می شود. در این رساله با بررسی انواع مختلف آرایه های انتقالی و مشخص نمودن محدودیت، مزیت و روش عملکرد آنها، دو ساختار جدید بر اساس عنصر شکاف برای غلبه بر برخی از محدودیت های آنتن آرایه انتقالی و یک ساختار جدید با استفاده از عنصر شکاف جهت غلبه بر محدودیت های سطح فرکانس گزین ارائه شده است. واضح است که شبیه سازی تمام موج چنین آرایه های...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

به منظور بررسی اثرات محیط دی الکتریک پاشنده و جاذب و همچنین خمیدگی فضای فیزیکی بر خواص حالت های کوانتومی فرودی، روابط کوانتش امواج الکترومغناطیسی مبتنی بر رویکرد پدیده شناختی را برای به دست آوردن روابط کوانتومی ورودی- خروجی بین تابش ها در دو طرف تیغه دی الکتریک به کار می بریم. با استفاده از این روابط، همانندی، توابع ویگنر و همچنین همبستگی کوانتومی حالت های خروجی از دی الکتریک را برای وضعیتی که ...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

شبیه ­سازی یک بعدی پلاسمای تخلیه ­ی سد دی­ الکتریک صفحه ­ای با استفاده از نرم­ افزار کامسول انجام شد. تأثیر ضخامت و ضریب دی ­الکتریک، ولتاژ و بسامد اعمال­ شده به الکترودها بر تغییرات دما و چگالی الکترون مورد مطالعه قرار گرفت. نتیجه­ های به دست آمده نشان داد که افزایش ولتاژ، بسامد، ضریب گسیل الکترون ثانویه ­ی الکترود و ضریب دی­ الکتریک باعث افزایش چگالی الکترون می­ شود درحالی که افزایش ضخامت دی­...

در این پروژه ابتدا به بررسی انواع ساختارهای باند ممنوعه پرداخته ایم و سپس آنتن های باند ممنوعه و نحوه کارکرد آن ها را تشریح کرده ایم. در ادامه نحوه طراحی یک آنتن باند ممنوعه با استفاده ازساختارهای دی الکتریک-فلز را نشان داده ایم. این آنتن از دو بخش مجزا تشکیل سده است، لایه superstrate که به همراه صفحه زمین تشکیل یک رزوناتور را می دهد و تشعشع کننده اولیه که برای تحریک ساختار، در داخل رزوناتور قر...

هدف از این پروژه بررسی اثر مواد مغناطیس-دی الکتریکی در بخش محدودی از زیرلایه یک آنتن مایکرواستریپ می باشد. مواد مغناطیس-دی الکتریک موادی هستند که دارای ضریب نفوذ پذیری الکتریکی و مغناطیسی نسبی بزرگتر از یک می باشند. استفاده از این مواد در کل زیرلایه به عنوان عاملی برای کوچک سازی آنتن ها قبلا مورد توجه قرار گرفته است. کارهای انجام شده در این زمینه، نشان دهنده اثر مناسب آن ها در کوچک سازی و تا حد...