لایه نشانی از علوم پرکاربرد در صنعت به شمار می آید. تکنولوژی ساخت ادوات خاص این تکنیک در سال های اخیر پیشرفت چشم گیری داشته است، به طوری که دقت بالای این وسایل باعث افزایش مشهود کیفیت لایه ها گردیده است. ما در این تحقیق، در ابتدا به معرفی کامل ملزومات آزمایشگاه لایه نشانی خواهیم پرداخت و شیوه های متنوع لایه نشانی مرسوم را مورد مطالعه قرار خواهیم داد. در کنار استفاده از این وسایل، تسلط کافی پژوه...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

در این پایان نامه مشخصه های الکتریکی لایه های ژرمانیمی که با استفاده از تکنولوژی لایه نازک ساخته شده و دارای ناخالصی آلومینیوم هستند، مورد بررسی قرار می گیرد. ساخت لایه های ژرمانیوم پلی کریستالی با لایه نشانی روی بستر در دمای کم و مراحل تکمیلی آن صورت می پذیرد. به این ترتیب نمونه هایی از ژرمانیوم با میزان ناخالصی آلومینیوم متفاوت روی بستر از نوع شیشه تهیه شده اند. آنالیز مربوط به ساختار فیزیکی ...

در این پروژه اثر جایگزین شدن اتم ژرمانیوم و نیز جذب مولکول اکسیژن بر پارامترهای ساختاری و الکترونی نانولوله آلومینیوم فسفید مورد مطالعه قرار گرفته است. در این راستا رزونانس مغناطیس هسته (nmr)، رزونانس چهارقطبی هسته(nqr) ، ساختارهای هومو-لومو و توصیف گرهای مولکولی کوانتومی مانند سختی، نرمی، پتانسیل شیمیایی، الکترونخواهی و الکترونگاتیویته با استفاده از تئوری تابع چگالی و روش b3lyp و مجموعه پایهای...

در فصل اول تئوری تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفت. در فصل دوم به مطالعه خواص نیمرسانائی و مغناطیسی پرداخته شد. در فصل سوم خواص ساختاری و مغناطیسی سه ساختار انبوهه zno مورد بررسی قرار گرفت. برای اینکار ابتدا ابریاخته مناسب تولید و سپس آلائیدن با درصدهای مختلف به عنوان ناخالصی مغناطیسی مورد بررسی قرار دادیم. سپس خواص الکترونی و مغناطیسی لایه نازک خالص و آلائیده شده با منگنز را برای هر سه ساختار ا...

در این پژوهش، شیشه های (60-x)v2o5 -40teo2-xsb به روش فرونشانی مذاب تهیه شدند سپس به روش چهار سیمه رسانش الکتریکی نمونه ها در گستره دمایی 407-295 درجه کلوین تعیین شد. نمونه های مورد بررسی از رابطه آستین- مات پیروی می کنند که خود موید رسانش جهشی پلارون کوچک است. از رابطه رسانندگی- دما، تغییرات انرژی فعالسازی الکتریکی، اثر تغییر فاصله یونهای وانادیم بر رسانش الکتریکی و همچنین فاکتور تونل زنی در نم...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. در این روش...

پایش توزیع توان قلب رآکتور، یکی از اصلی‌ترین چالش‌ها در بهره‌برداری ایمن از رآکتورهای هسته‌ای است. تعداد و چیدمان آشکارسازهای یک سیستم پایش قلب باید به نحوی باشد تا ضمن استخراج بیش­ترین میزان اطلاعات از حالت قلب رآکتور، تا حد ممکن از گردآوری اندازه‌گیری‌های مشابه و وابسته اجتناب شود. تئوری اطلاعات از کارآمدترین روش‌های تعیین محل و تعداد بهینه ابزارهای اندازه‌گیری است. در این پژوهش، تأثیر عامل ف...

در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت ا...

در این پایان نامه تغییر طول موج لیزر نیمرسانای فابری- پرو در اثر تغییر جریان الکتریکی تزریقی شبیه سازی شده است. مدل مورد بررسی یک لیزر نیمرسانای 5 لایه از ماده ی ingaasp/inp است