هدف از این مقاله، بررسی تاثیر پروتز مچ پنجه ویسکوالاستیک روی سیکل گیت فرد قطع عضو زیر زانو با استفاده از شبیه سازی دینامیکی راه رفتن انسان می باشد. مدلی دو بعدی و هفت سگمنتی به منظور شبیه سازی کل سیکل گیت فرد نرمال و فرد قطع عضو ارائه شده است که مجهز به مدل تقابل بین پا و زمین برای شبیه سازی کل سیکل گیت به صورت یکپارچه می باشد. در مرحله اول، شبیه سازی سیکل گیت فرد نرمال با ترکیب فرآیند بهینه سا...

مقدمه: نانوکریستال های نیمه هادی فلوئورسانسی که به عنوان نقاط کوانتمی نیز شناخته می شوند، نانوکریستال های نشرکننده ایی در ابعاد بین 2-10 nm هستند که توجه محققین را در زمینه های بسیاری در از الکترونیک تا علم مواد، زیست و پزشکی به خود در دو دهه ی اخیر معطوف ساخته است. این مقاله سعی به بررسی آخرین دیدگاه ها و کارهای انجام شده بر روی خواص، روش ساخت، پایداری و عامل دار نمودن این ذرات و کاربرد آن ها ...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

معادله‌ی انتقال بولتزمن(B‌T‌E) معادله‌ی پایه‌یی است که برای شبیه‌سازی ادوات نیمه‌هادی به‌کار می‌رود. B‌T‌E‌معادله‌یی نیمه کلاسیک است که برخی اثرات کوانتمی از جمله تونل زدن را در نظر نمی‌گیرد. می‌توان با استفاده از معادله‌ی انتقال ویگنر، ضمن تصحیح معادله‌ی B‌T‌E، اثرات کوانتمی را لحاظ کرد. از روش مونته‌کارلو به‌منظور حل B‌T‌E تصحیح شده‌ی کوانتمی برای R‌T‌D استفاده شده است. مطابق انتظار، یک من...

در این مقاله، تأثیر پارامترهای ناخالصی و همچنین نوع قطبش نور فرودی در نقطۀ کوانتمی قرص‌شکل در ضریب تولید هماهنگ دوم و با در نظر گرفتن جفت­شدگی اسپین‌ـ‌مدار راشبا مطالعه شده است. پتانسیل ناخالصی، به صورت گاوسی فرض شده و پارامترهای مؤثر آن عبارتند از: قدرت پتانسیل، طول میرایی، نوع ناخالصی و مکان آن در نقطۀ کوانتمی. محاسبات در قالب تقریب جرم مؤثر انجام شده­اند. نتایج نشان دادند که حضور ناخالصی سبب...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

در این مقاله فازهای کوانتمی و افت و خیزهای سیستمهای همبسته الکترونی که دارای ناکامی و برهم کنشهای رقابت کننده هستند مرور می شود. مدل اسپین 2/1, 2 j 1- j که در آن ممانها جایگزیده و روی شبکه مربعی هستند دیاگرام فاز غنی ای را نمایش می دهد که دارای فازهای مغناطیسی و فازهای شگفت آور با پارامترهای نظم پنهان به واسطه تقابل ناکامی و افت وخیزهای کوانتمی است. رد پای این فازها در کمیتهای مگنتوکالریک و مغن...