نتایج جستجو برای: گیت تمام نوری

تعداد نتایج: 53512  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

استفاده از افزاره های فوتونیکی در سیستم های مخابراتی از سه دهه پیش آغاز شده و تا به امروز روند رو به رشدی را طی کرده است و پیش بینی می شود تا سال 2015، نرخ انتقال داده ها به 40 ترا بیت بر ثانیه برسد. اما در سال های اخیر پیشرفت افزاره های فوتونیکی با محدودیت پراش نور مواجه شده است. این محدودیت امکان کوچکتر شدن افزاره های فوتونیکی از محدوده ی شکست نور را از بین می برد. با توجه به این محدودیت امکا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1389

در‏ این رساله از مدلی عددی مبتنی بر روش تفاضل محدود برای مطالعه و تحلیل انتشار پالس‏های فوق‏باریک در تقویت‏کننده‏ها‏‏ی نوری نیمه‏رسانا استفاده کرده‏ایم‏‏.‏ این‏‏ معادلات با دقت بالایی توانایی مدل‏سازی‏‏ پالس‏های تا پهنای 120 فمتوثانیه را دارا هستند. خواص سوییچینگی ماخ‏زندر‏ نامتقارن در حوزه پیکو‏ثانیه‏‏ و فمتوثانیه، خصوصیات چرپ خروجی از هر تقویت‏کننده و نیز خروجی نهایی سوییچ مورد بررسی قرارگرفت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - پژوهشکده برق 1392

بلورهای نوری محیطی با خواص نوری متناوب هستند که از لایه های مواد دی الکتریک متناوب به صورت یک، دو و یا سه بعدی تشکیل شده اند. یکی از خواص مهم این ساختارها، کنترل عبور نور به علت وجود باند ممنوعه نوری و نیز وجود نقص هایی در آن ها است. نقص در بلورهای نوری در اثر تغییراتی در ساختار دی الکتریک های بلور است که خود می تواند یک، دو و یا سه بعدی باشد. اگر در بلورهای نوری نمودار فرکانس بر حسب بردار مو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده ریاضی و کامپیوتر 1393

‏در این پایان نامه‎‏‏، پیاده سازی فیزیکی گیت‎‎‎ cnot در سیستم فوتون نوری ارائه شده است. گیت cnot یکی از گیت های پایه ای در محاسبات کوانتومی است که بسیاری از گیت های کوانتومی دیگر را با استفاده از این گیت و گیت های تک کیوبیتی می توان ساخت.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1389

بلورهای مایع به دلیل دوشکستی و امکان باز جهت گیری محور دو شکستی بوسیله ی میدان های خارجی نسبتاً ضعیف، در اپتوالکترونیک به شدت مورد توجه هستند. این باز جهت گیری میتواند به وسیله ی میدان های مغناطیسی و الکتریکی و یا بوسیله ی میدان الکتریکی ناشی از امواج نوری القاء شود[1]. در کلیدهای نوری بوسیله سلول بلور مایع نماتیک، این بازجهت گیری بوسیله میدان الکتریکی dc و میدان الکتریکی ناشی از امواج نوری القا...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

با کوچک کردن تکنولوژی بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه و افزایش کارایی این قطعه آثار ناخواسته ای به نام آثار کانال کوتاه (مانند کاهش سد ناشی از درین، roll off ولتاژ آستانه و... ) ظاهر می شوند که کارایی افزاره را کاهش می دهند. برای کاهش این آثار کانال کوتاه ساختارهای مختلفی از جمله ماسفت soi utb ، ساختارهای عمودی، ترانزیستور مهندسی باند و ساختارهای دوگیتی و غیره توسط محققان پیشنهاد ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده فنی 1394

در این نامه به طراحی گیت های منطقی ‏and‏ ، ‏or، ‏not، سوییچ و ترانزیستور ‏تمام نوری ‏ با دقت و قابلیت اطمینان ‏ بسیار بالا، ابعاد کم و مصرف توان پایین با استفاده از کریستال های فوتونی ‏ دو بُعدی پرداخته شده است. برای بررسی حالت دائمی ساختارها از روش تفاضل متناهی ‏در حوزه زمان ‏ (‏fdtd‏) و برای به دست آوردن دیاگرام باندی ساختارها از روش بسط موج تخت ‏ ‏‏(‏pwe‏) استفاده شده است. همچنین برای به دست ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1388

انبرک نوری یک باریکه ی لیزر گاوسی است که با استفاده از عدسی شییی کانونی شده و می تواند به ذراتی که در مجاورت کانون قرار گرفته اند نیروی بازگرداننده ای به سمت کانون وارد کند. این ابزار توانایی اعمال نیروهایی در محدوده ی چند فمتو نیوتن تا چندصد پیکونیوتون را دارد. به واسطه ی این محدوده ی نیرو انبرک نوری کاربردهای فراوانی در زمینه های مختلف علوم زیستی پیدا کرده است. با توجه به کاربردهای روز افزون ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

در این پایان نامه، با استفاده از بلور های فوتونی دوبعدی، نحوه طراحی و دست یابی به یکی از اساسی ترین عناصر مدارهای مجتمع نوری یعنی دی مالتی پلکسر تمام نوری بررسی شده است. هدف از این طراحی ها، دستیابی به ساختارهای دی-مالتی پلکسر با مشخصات زیر بوده است: راندمان زیاد انتقال توان در خروجی ها، هم شنوایی کم بین کانال های خروجی، تفکیک پذیری طیفی بالا، ضریب کیفیت زیاد برای هر کانال خروجی، تعداد کانال ها...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید