نتایج جستجو برای: گاف باند

تعداد نتایج: 6992  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1390

دی اکسید تیتانیم (tio2) یک اکسید فلز واسطه با گستره وسیعی از کاربردهاست، که مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. این ماده همچنین به عنوان یک سیستم مدل در علوم سطح به کار برده می شود. محاسبات در چارچوب نظریه تابعیت چگالی به روش شبه پتانسیل و به کارگیری تقریب های lda و gga روی انبوهه rutile tio2 و سطح استوکیومتری و کاهش یافته (110) rutile tio2 انجام می شود. مطالعات ساختار الکترونی نشان می د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده فیزیک 1390

چکیده در سال های اخیر به خاطر گسترش روزافزون سیستم های ارتباطی و تکنولوژی اطلاعات، سیستم های نوری که دارای پتانسیل بسیار بالائی در اثر انتقال، پردازش و ذخیره اطلاعات می باشد، مورد توجه بسیاری قرار گرفته است. در این راستا مباحث زمانی و فضائی سالیتون ها با دارا بودن خواص شبه ذره ای از اهمیت به سزائی برخوردار می باشند. در این پایان نامه سالیتون های گاف که جزو سالیتون های فضائی بوده و قابلیت انتشا...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
زهرا نوربخش z nourbakhsh isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان مارک لاسک m lusk colorado school of minesدانشگاه صنعتی اصفهان سیدجواد هاشمی فر s j hashemifar isfahan university of technologyکلرادو اسکول آو ماینز هادی اکبرزاده h akbarzadeh isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - دانشکده علوم 1390

دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پای...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تبریز - دانشکده علوم پایه 1388

به دلیل رفتار خاص امواج الکترومغناطیسی در محیط های تک منفی، برخی از پدیده های اپتیکی مانند تشدید، تونل زنی کامل، بازتاب صفر و شفافیت در ساختاری دولایه ای از متامواد تک منفی (با یک لایه ی اپسیلون- منفی و یک لایه ی مو- منفی) قابل مشاهده است. اگر فضای داخل یک موجبر با این ساختار دولایه ای پر شود، برخلاف موجبرهای معمولی، این موجبر حداکثر یک مُد را می تواند انتقال دهد و ضخامت آن را نیز می توان به اخت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1389

کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمین...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فاطمه نبی پور f nabipoor university of isfahanدانشگاه اصفهان محمدعلی شاهزمانیان a shahzamanian

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - پژوهشکده علوم 1391

بلور فوتونی محیطی است که تابع توزیع ضریب شکست در آن متناوب و یا شبه متناوب می باشد. بلورهای فوتونی در دهه ی اخیر به خاطر کاربردها و ویژگی های الکترومغناطیسی منحصر به فردشان به یک حوزه ی تحقیقاتی مهمی تبدیل شده اند. با انتخاب آرایش های مختلف از محیط های با خواص نوری معین، ابزارها و ادوات فوتونی طراحی می شوند. ویژگی بارز بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی در طیف تراگسیل می باشد. بطوریکه امواج ال...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1389

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی اس...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید