طیف وسیعی از مواد نیمرسانا با آلایش عناصر واسطه (اتمهای مغناطیسی) وجود دارند، که این مواد را عموماً بعنوان نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده dms می شناسند. از سوی دیگر dms های حاصل از ترکیبات نیمرسانای گروه iii-v، بعلت امکان کاربرد آنها در اسپینترونیک، توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه های موجود داشته ...

یکی از مسائل مهم در زمینه اسپینترونیک تزریق جریان اسپینی از یک فلز فرومغناطیس به نیم رسانا است. در سالهای اخیر فرومغناطیس های نیمرسانا بدلیل توانایی بالا در تولید جریان قطبیده اسپینی مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفتند که آلیاژهای هویلسر از این دسته هستند. نیم فلز موادی هستند که بریا یک نوع اسپین رفتار فلزی و برای نوع دیگر رفتار نیم رسانایی دارند. لذا این مواد در سطح فرمی دارای قطبش اسپینی 1...

در یکی از شاخه های نانوالکترونیک که با اسپین سروکار دارد(اسپینترونیک) هدف و چالش اصلی تولید جریان اسپین قطبیده است. یکی از طرح های پیشنهادی برای تولید جریان اسپینی روش پمپاژ اسپینی ( spin pumping ) نامیده می شود. در این روش تغیرات وابسته به زمان چند پارامتر سیستم به صورت دوره ای در القای دینامیک اسپین و تولید جریان اسپینی نقش ایفا می کنند. مسئله مورد برسی ترابرد مزوسکوپی و بی درروی اسپی...

در این رساله رسانش الکترونی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای پایه کربنی در چارچوب فرمولبندی ترابرد همدوس لاندائور و با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی تک باندی و چند باندی، توابع گرین سطحی و ماتریس های انتقال بررسی و محاسبه می شود. ویژگی های مغناطیسی مورد بررسی، ناشی از خواص مغناطیسی تهی جای ها، اتمهای مغناطیسی ناخالصی و میدانهای خارجی است. بعلاوه خواص مغناطیسی نانو دیسک ها و نانو نوار های گراف...

جفت شدگی اسپین-مدار به علت استفاده های گوناگون در پدیده های نوین فیزیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مهم ترین این پدیده ها اسپینترونیک است، که شامل مطالعه کنترل فعال و دستکاری درجه آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. به عبارت دیگر، اسپینترونیک اشاره به الکترونیک اسپینی، پدیده ی ترابرد اسپین های قطبیده در فلزات و نیمه هادی ها دارد. جفت شدگی اسپین-مدار برای تولید جریان اسپین قطبیده ...

در این پایان نامه، مروری بر بررسی های پدیده شناسی و آزمایشگاهی تابع ساختار وابسته اسپینی نوکلئون g1 در مقادیر کوچک x و q2 میشود و تحلیل qcd بر روی داده های بدست آمده از پراکندگی ناکشسان ژرف قطبیده و توزیع های پارتون بیان میشود. در محاسبه تابع توزیع پارتون ها و تابع ساختار g1 با انتخاب فرم جدید برای توابع توزیع پارتون ها در مقیاس اولیه به بررسی تابع ساختار قطبیده پروتون خواهیم پرداخت سپس با اس...

در این پایان نامه برآن شدیم تا به معرفی مدل پدیده شناختی ولون بپردازیم و با استفاده از آن، تابع ساختار غیر قطبیده و قطبیده پروتون را محاسبه کنیم. در این مسیر از نتایج پراکندگی ناکشسان ژرف کمک گرفتیم. مدل کوارک پارتونی را معرفی کردیم و سهم اسپینی هرکدام از پارتون های درون پروتون در اسپین پروتون را محاسبه کردیم و نشان دادیم سهم اصلی در ساختار اسپین پروتون را کوارک های ظرفیتی، گلئونها و تکانه زاو...

اسپینترونیک شاخه ی جدیدی از نانوالکترونیک است که بر استفاده از اسپین الکترون برای ساخت قطعات الکترونیکی جدید با کارایی بالاتر نسبت به الکترونیک سنتی تاکید دارد. نانوساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی عناصر اصلی اسپینترونیک را تشکیل می دهند. مطالعه ی خصوصیات ساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی به دلیل پتانسیل بالای آنها برای کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی جدید بسیار مورد توجه قرار گر...

نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده موادی هستند که خواص نیمرسانایی و مغناطیسی را به طور همزمان نشان می دهند. این مواد نیمرساناهایی هستند که شامل تعدادی اتم عناصر واسطه اند که جایگزین کاتیون ها شده اند. از بین نیمرساناهای فرومغناطیس گروه iii–v ، نیمرسانای مغناطیسی گالیوم نیتراید رقیق شده با عناصر واسطه (ga,tm)n به خاطر دمای کوری بالای دمای اتاق، بیشترین کاربرد را در صنعت اسپین ترونیک دارد. در این پژ...

در مطالعه حاضر، ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ساختارهای بلوری Mn2AlCu و Ti2CuHg از ترکیب هسلر کامل TaGa2Co، با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریه تابعی چگالی مطالعه شدند. نتایج نشان می‌دهند که حالت پایة این ترکیب دارای ساختار بلوری از نوع Mn2AlCu با نظم فرومغناطیسی و گشتاور مغناطیسی µB00/2 است. نتایج محاسبات ساختار الکترونی نشان می‌دهند که حالت پایه دارای خاصیت نیمه فلزی با ...