خواص ساختاری و الکترونی فازهای رتایل،آلفا کوارتز،آلفا دی¬اکسید سرب،دی¬کلرید کلسیم و پیرایت از دی¬اکسید ژرمانیم توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) محاسبه شده است.پتانسیل تبادلی-همبستگی توسط تقریب چگالی موضعی رفتار می¬کند.چگالی حالتهای کلی و جزئی و همچنین ساختار نواری برای هر فاز محاسبه شده است.محاسبات نشان می¬دهد که سهم عمده چگالی حالتها در زیر سطح فرمی مربوط به اوربیتاله...

یکی از موادی که برای تشکیل غشاء قابلیت زیادی دارد پلی سولفون می‌باشد اما به دلیل ذات آبگریزی که دارد کاربردش را در غشاهای اولترا فیلتراسیون دارای مشکل کرده است. راه‌حلی که برای برطرف کردن مشکل آبگریزی پلی سولفون پیشنهاد می‌شود، اضافه کردن مواد افزودنی مختلف معدنی و پلیمری به غشاهای پلی سولفونی می‌باشد. نانوذرات سیلیکون دی اکسید (SiO2) به دلیل اینکه منابع تولید فراوانی بر روی پوسته زمین (سیلیس) ...

نخستین پایلوتی که مورد بررسی قرار گرفت شامل 3 راکتوراست. راکتور اول لوله پلی اتیلن نورگذر (تراوا) با پوشش لایه تثبیت شده tio2 در داخل آن است، راکتور دوم مانند لوله اول ولی بدون لایه tio2 است که برای بررسی کارایی پرتو فرابنفش خورشید در حذف مواد آلی استفاده شده، راکتور سوم لوله پلی اتیلن معمولی بدون قابلیت گذر دهی نور و با پوشش لایه tio2 در داخل آن است که برای بررسی توانایی حذف مواد آلی توسط tio2...

سرعت اکسید شدن در سیلیکون می تواند در اثر وجود ناخالصی ها تغییر کند.

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

در این پایان نامه از کوارتز به عنوان زیر لایه استفاده شده است. یک لایه رسانا به عنوان جمع کننده حامل جریان روی زیرلایه کوارتز توسط تبخیر گرمائی در خلاء نشانده شده است. سپس سوسپانسیونی که از 0.1 گرم دی اکسید تیتانیوم و 1 گرم اتانول تشکیل شده است بر روی کوارتز چکانده و به روش نشست گرمایی یک لایه ی نازک دی اکسید تیتانیوم بر روی زیرلایه تشکیل گردید. با استفاده از روش تبخیر و انتقال شیمیایی نانوساخت...

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

در این تحقیق تجربی، مورفولوژی به همراه آنالیز عنصری، خواص ساختاری و اپتیکی نانوساختارهای اکسید سیلیکون رشد داده شده به روش جایگذاری بخار شیمیایی (cvd) بر روی ویفر سیلیکون را مورد بررسی قرار داده ایم. در این مطالعه از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی گسیل گرمایونی (sem)، پراش پرتو ایکس (xrd) و فوتولومینسانس (pl) استفاده کرده ایم. در نمونه های سنتز شده در این روش، نانو ساختارهای اکسید سیلیکون با اس...

پوشش با لایه های نازک نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای بسیار نازک، کاربردهای زیادی در صنایع میکروالکترونیک، تبدیل انرژی و نانو فناوری دارند. در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پ...