حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...

لایه نازک با ترکیب شیمیایی Ti45Cu35Zr15Sn5 بوسیله روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم در اتمسفر آرگون و در دمای محیط تهیه گردید. بررسی ریزساختار توسط پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ الکترونی عبوری حاکی از وجود ساختار آمورف در لایه های نازک پس از کندوپاش می باشد. در این مقاله رفتار و سینتیک بلوری شدن لایه نازک شیشه ای با استفاده از آنالیز گرماسنجی روبشی تفاضلی بصورت همدما و غیرهمدما مورد بررسی قرار گرف...

دستگاه¬های لایه¬نشانی به روش کندوپاش dc مغناطیسی واکنشی برای لایه¬نشانی اکسید مس و روش تبخیر حرارتی برای لایه¬نشانی فلزات طلا، منگنز و آلومینیوم به عنوان اتصالات اهمی پیاده-سازی و راه¬اندازی شدند. فازهای اکسید مس با توجه به فشار جزئی گاز اکسیژن در محفظه لایه¬نشانی تفکیک و اندازه¬گیری¬های الکتریکی و نوری برای این لایه¬ها صورت پذیرفت. تطبیق اندازه-گیری¬های مقاومت ویژه، غلظت و تحرک حفره¬ها و میزان...

پژوهش حاضر به طراحی اهداف و محتوای برنامه ی درسی نانو برای دانش آموزان دوره‎ی متوسطه می پردازد. تحقیق مورد نظر، کاربردی، توصیفی و پیمایشی است. جامعه ی آماری متشکل از معلمان و پژوهش گران حوزه ی فناوری نانو در سال 93 می باشد که، سابقه ی تدریس درمدرسه داشتند یا در حال تدریس در مدارس هستند، که تعداد 113 نفر از آن ها به عنوان نمونه آماری انتخاب شدند. روش نمونه گیری اتفاقی داوطلبانه و هدفمند می باشد....

در این پژوهش تشکیل لایه های نانوساختار نقره بر روی نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار گرفت. ابتدا لایه نازکی از نیکل را به روش باریکه الکترونی به عنوان کاتالیستی برای رشد نانولوله های کربنی بر روی ویفر سیلیکون نشاندیم و سپس به روش لایه نشانی بخار شیمیایی با استفاده از پلاسمای فزاینده (pecvd) نانولوله های کربنی را بصورت عمودی رشد دادیم. در ادامه با استفاده از روش لایه نشانی کندوپاش مغناطیسی با ج...

کاربرد گسترده مبدل های dc-dc با بهره ولتاژ بالا درسیستم تبدیل توان منابع تولید پراکنده نظیر پیل سوختی و سلول فتوولتایی است. در این پایان نامه پس از مرور ساختار های پایه به کار رفته در مبدل های dc-dc و بیان مزایا و معایب آنها، گونه ای از مبدل های dc-dc بر پایه شبکه های امپدانسی معرفی می شود که دارای عملکرد ویژه ای است. در این پایان نامه با ارائه روشی کاملا جدید، گونه ای از شبکه های امپدانسی دارا...

وابستگی خواص الکتریکی و مکانیکی لایه های نازک نیترید تیتانیوم انباشت شده بر روی زیرلایه های سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی dc، به شار گاز آرگون بررسی شد. ساختار بلوری و ریخت شناسی لایه ها به ترتیب به وسیله پراش پرتو-x (xrd) و میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) بررسی شد. خواص مکانیکی و الکتریکی لایه ها نیز بوسیله آزمون سختی سنجی (nano-indentation) و دستگاه جستجوگر چهار نقطه ای (four point probe)، تحقیق ...

نیترید براساس پوششهای سخت به طورگسترده ای برای کاربردهای مکانیکی استفاده میشود .درمیان این پوششها نیتریدکروم ها به طور ویژه قابل توجه هستند زیرا از خواص مکانیکی واصطکاکی خوبی برخوردارهستند.دراین کار تاثیر جریان گاز نیتروژن بر خواص مکانیکی و اصطکاکی لایه های نازک نیترید کروم مورد مطالعه قرار گرفت. لایه های نازک نیترید کروم روی آلومینیم 5083 بوسیله تکنیک کندوپاش مغناطیسی جریان dc درجریانهای مختلف...

در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...

سابقه و هدف: به دلیل اهمیت میدانهای مغناطیسی در ایجاد تغییراتی در رفتار سلولی و نیز پی بردن به مکانیزم اثر میدان های مغناطیسی elf (extremely low frequency) و ترکیب آن با میدان های مغناطیسی مستقیم روی سلول لازم است مطالعه وسیع تری صورت پذیرد. هدف از این تحقیق بررسی تاثیر میدانهای مغناطیسی ترکیبی مستقیم dc و elf پالسی بر روی رشد باکتری e.coli-dh5-α بود. روش بررسی: در مطالعه تجربی حاضر، در هر سری ...