چکیده با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ضریب دی¬الکتریک بالا، فرایندپذیری آسان و دوام زیاد رو به گسترش است. یکی از رایج¬ترین روش¬ها برای دستیابی به این هدف استفاده از کامپوزیت های پلیمری است. استفاده از پرکننده¬هایی مانند ذرات سرامیکی با ضریب دی¬الکتریک بالا و یا ذرات فلزی/کربنی با رسانایی بالا در بستر پلیمری معمول است که هر یک نقاط قوت و ضعف خاص خود را دارند. هدف از...

روش ماتریس انتقال یکی از ساده ترین و متداول ترین روش ها برای بررسی طیف تراگسیلی و ویژگی گاف باند از یک بلور فوتونیکی یک بعدی است. در این روش اغلب از یک موج تخت که در راستای عرضی فاز ثابتی دارد استفاده می شود. با وجود اینکه توزیع میدان در اکثر منابع، مخصوصاً لیزرها به صورت گوسی است. باریکه گوسی در مقایسه با موج تخت دارای دو تفاوت اساسی است. دامنه و فاز وابستگی شعاعی دارند. داشتن وابستگی شعاعی فاز...

چکیده ندارد.

حلالهای آروماتیک حاوی نمکهای ان بوتیل آمین دارای پایداری ترموشیمیایی کافی،پتانسیل پلاریزاسیون گسترده،نقطه جوش بالا و ضریب دی الکتریک قابل قبول برای پوشش دادن الکترولیتی یونهای فلزی فعال هستند. در این مقاله سینتیک جوانه زنی و رشد رسوب لایه نازک فلزی از کمپلکس ان بوتیل آمین حاوی فلز مس در محلول پایه نفتالین به شیوه ولتامتری چرخه ای ، کرنوآمپرمتری و بیناب نگاری امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شده است....

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...

امواج نوری تابیده شده به سطح فلز باعث نوسان الکترون های آزاد آن می شود. نوسان الکترون های آزاد هماهنگ با فرکانس موج نوری تابیده شده سبب ایجاد امواجی موسوم به پلاسمون های سطحی می گردد. پلاسمون های سطحی امواج نوری هستند که در سطح هادی انتشار می یابند. این امواج از این جهت دارای اهمیت هستند که می توانند در ساختارهایی با ابعاد زیر طول موج انتشار یابند. این پدیده می تواند رویای رسیدن به فناوری پرداز...

حلالهای آروماتیک حاوی نمکهای ان بوتیل آمین دارای پایداری ترموشیمیایی کافی،پتانسیل پلاریزاسیون گسترده،نقطه جوش بالا و ضریب دی الکتریک قابل قبول برای پوشش دادن الکترولیتی یونهای فلزی فعال هستند. در این مقاله سینتیک جوانه زنی و رشد رسوب لایه نازک فلزی از کمپلکس ان بوتیل آمین حاوی فلز مس در محلول پایه نفتالین به شیوه ولتامتری چرخه ای ، کرنوآمپرمتری و بیناب نگاری امپدانس الکتروشیمیایی بررسی شده است....

قطعاتی لایه نازک به شکل cu-sio-cu و ag-sio-ag با استفاده از روش تبخیر حرارتی در خلاء (در حدود 10-5 تور) بر روی بسترهای شیشهای از نوع کرنینگ ساخته شدند. ضخامت لایه دی الکتریک در این قطعات بین 1000 تا 4500 و الکترودها از 1000 تا 2000 آنگستروم متغیر بود. پرتونگاری ایکس از لایه دی الکتریک نشان می دهد که ساختار این لایه ها به صورت بی شکل (amorphous) است . مشخصه جریان - ولتاژ نمونه های با الکترودهای ...

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...

با نیاز روز افزون علم و فناوری به افزایش سرعت پردازش و توان محاسباتی و انتقال اطلاعات در پهنای باند بالا، شاهد ظهور فناوری های نو در جهان امروزی هستیم. در این پروژه سعی می شود تا تأثیر نانوفناوری در صنعت مخابرات نوری بررسی شود و نقش محیط های پاشنده و غیرهمسان گرد و تأثیر آن ها بیان شود. به دلیل قابلیت تمرکز بالای نور و شکسته شدن حد تفرق نور، محیط های پلاسمونیک توانایی هدایت اطلاعات در ابعاد نان...