در این پژوهش، شبیهسازی جریان تکفاز و دوفاز، همدما، گذرا و در حالت دوبعدی برای سمت آند پیل سوختی غشاء پلیمری صورت گرفته است. در این تحقیق، ابتدا اثر ورود مونواکسید کربن به همراه هیدروژن ورودی به آند بر عملکرد پیل سوختی بهصورت پایا موردبررسی قرارگرفته است. سپس رفتار گذرای پیل سوختی تحت مسمومیت CO و تأثیر تزریق هوا به هیدروژن بر میزان بازگشت چگالی جریان ازدسترفته بررسی شده است. بهمنظور اعتبارسنجی ...

در این تحقیق، ماده نورتاب سولفید روی با دوپنت نقره (ZnS:Ag) بر روی شیشه اکسید قلع ایندیم (ITO) به روش الکتروفورزیس جریان مستقیم (DC-EPD) پوشش‌دهی شدند. آزمایش‌ها نشان داد که چگالی جریان عامل مهمی در این لایه‌نشانی می‌باشد و باید در محدوده mA/cm2 0.22-0.11 قرار بگیرد تا علاوه بر جلوگیری از تخریب لایه ITO، پوششی با کیفیت مناسب حاصل شود. سه عامل مهمی که بر چگالی جریان تاثیر داشتند یعنی افزودنی، زم...

در این تحقیق، اثرات اختلاف چگالی بین جریان عرضی داغ و جت خنک کننده بر سطح آشفتگی جریان و اثربخشی خنک کاری لایه ای، در نسبت سرعت های مختلف، مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور، یک برنامه رایانه ای توسعه داده شده که با استفاده از روش حجم محدود و الگوریتم سیمپل به شبیه سازی جریان روی یک شبکه چند بلوکی، غیر یکنواخت و جابجا شده می پردازد. از سه مدل آشفتگی  استاندارد، انتقال تنش برشی و  استفاد...

در این مقاله با توسعه یک مدل هیدرودینامیک ذرات هموار (sph) دو بعدی تراکم پذیر ضعیف، جریان ناشی از شارش تبادلی برای دو سیال با اختلاف چگالی کم شبیه سازی شده است. فرایند مدلسازی برای دو سیال با نسبت چگالی های بزرگتر از 9/0 و کوچکتر از 0/1 به انجام رسیده است. با توجه به اختلاف چگالی کم، در توسعه مدل دوفازی تغییر قابل توجهی در فرمول های کلاسیک sph داده نشده است. در این حالت کافی است با یکسان گرفتن ...

در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...

در این تحقیق، اثرات اختلاف چگالی بین جریان عرضی داغ و جت خنک‌کننده بر سطح آشفتگی جریان و اثربخشی خنک‌کاری لایه‌ای، در نسبت سرعت‌های مختلف، مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور، یک برنامه رایانه‌ای توسعه داده شده که با استفاده از روش حجم‌محدود و الگوریتم سیمپل به شبیه‌سازی جریان روی یک شبکه چند بلوکی، غیر یکنواخت و جابجا شده می‌پردازد. از سه مدل آشفتگی  استاندارد، انتقال تنش برشی و  استفاد...

مغناطش و چگالی جریان بحرانی ابررسانای جدیدا کشف شده ndo0.82f0.18feas با دمای بحرانی ابررساناییk 51.5 به صورت تابعی از میدان مغناطیسی و دما مطالعه شده است. نتایج به دست آمده نشان داد که این ترکیب در میدان های مغناطیسی بسیار پایین و دماهای کمتر از دمای بحرانی دارای رفتار ابررسانایی استاندارد با خاصیت دیامغناطیس کامل است. اما با افزایش میدان مغناطیسی در میدان های بزرگتر از koe 50 مشاهده می شود که ...

هدف: روشهای رایج الکترودیاگنوز (ncs/emg) محدودیتهایی در تشخیص برخـی از نوروپاتی ها مانند نوروپاتی هـــای سیستـــم اتونـــوم، مراحــل حاد نوروپاتی ها (hyperesthetic) و رادیکولوپاتی های صرفاً حسی دارند. در این زمینه روشهای بررسی کمی (quantitative) سیستم عصبی می تواند جایگزین مناسبی برای روشهای رایج باشد. روش تعیین آستانه درک جریان (cpt) یکی از همین روشهای کمی است که در آن از تحریکات الکتریکی استفا...

در این مقاله، مدل سازی تمام عددی برای بررسی اثرات دما روی طول عمر ترازهای لیزری، بهرة اپتیکی و توان خروجی، در لیزر آبشار کوآنتومی آلایش شده algan/gan ارائه می گردد. در محاسبات، کلیة اثرات فیزیکی از جمله: میدان های قطبش داخلی و مکانیسم های مختلف پراکندگی، با استفاده از حل عددی خودسازگار معادلات شرودینگر، پواسون و آهنگ لیزر، در نظر گرفته شده است. تجزیه و تحلیل نتایج به دست آمده، آشکارا نشان می ده...

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...