در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

در این مقاله یک آنتن شکافی مایکرواستریپی چاپی جدید با خاصیت پلاریزاسیون دایروی و تغذیه شده با خط CPW طراحی، تحلیل و شبیه سازی شده است. ساختار آنتن شکافی پیشنهادی از یک پچ پله ای شکل اصلاح شده و صفحه زمین مربعی که درون آن یک شکاف پله-ای واقع شده ترکیب بندی شده است. با استفاده از پچ پله ای و صفحه زمین مربعی اصلاح شده، رزونانس های اضافی دیگری تحریک شده و پهنای باند امپدانس وسیعی مخصوصا در باند بال...

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

چنانچه در نمونه گیری، داده ها با احتمالی متناسب با اندازه انتخاب شوند، داده های حاصل را در طول-اریب نامند. برآورد ناپارامتری تابع چگالی با استفاده از داده های در طول-اریب، مشکلتر از سایر حالات است. یکی از برآوردگرهای معروف در این زمینه توسط جونز (1991) معرفی شده است. در این مقاله ابتدا پارامتر پهنای باند این برآوردگر با رهیافت بیزی برآورد می شود. سپس سازگاری قوی آن با به کار بردن پهنای باند برآ...

در این مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دوطبقه با تکنیک بافر جریان سری با خازن میلر برای کاربردهایی با پهنای باند چند صد مگاهرتز طراحی و بهینه سازی شده است. در اینجا برای کاهش سطح سیلیکون اشغالی، خازن جبرانسازی را با خازن ترانزیستوری جایگزین کرده‌ایم. برای برطرف کردن مشکلات بکارگیری خازن ترانزیستوری از الگوریتم بهینه‌سازی استفاده شده است و همچنین با استفاده از روش پیشنهادی رابطه‌ تحلیلی از جواب‌های...

در این تحقیق پوشش جاذب امواج رادار شامل نانو­­ذرات کامپوزیتی (BaFe12O19/ MWCNT) سنتز شده به روش سل- ژل احتراقی بر روی پارچه اعمال گردید. نانولوله‌های کربنی کربوکسیل­دار شده به‌منظور تقویت شدت و افزایش پهنای باند جذبی در رزین سیلیکونی بر روی سطح منسوج چاپ گردیدند. تصاویر میکروسکوپی منسوج پوشش داده‌ شده با نانو­ذرات کامپوزیتی نشان می‌دهد پوشش یکنواختی از ذرات بر سطح منسوج تش...

مقاطع لرزه‌ای حاصل از اعمال مراحل گوناگون پردازش، به‌منظور استخراج اطلاعات مربوط به سازندهای زمین‌شناسی مورد بررسی و تفسیر قرار می‌گیرند. برای شناسایی و تعیین محل دقیق اهداف، لازم است مقاطع لرزه‌ای قدرت تفکیک کافی داشته باشند. قدرت تفکیک زمانی کافی نیازمند پهنای باند بسامدی گسترده است. به‌علت محدود بودن ذاتی پهنای باند بسامدی موجک‌های لرزه‌ای و اثر پدیده جذب بسامدی، لزوم اعمال الگوریتم‌های نوین...