ساختارهای مزوسکوپیک شامل لایه های فرومغناطیس و ابررسانا مورد توجه زیادی قرار گرفته اند. این ساختارها همبستگی کوانتومی بین آثار همدوسی در فلز عادی یا فرومغناطیس و همدوسی ذاتی ابررسانایی را که توسط بازتاب آندریو تامین می شود، به نمایش می گذارند. در این پایان نامه رسانندگی تونلی یک پیوند ابررسانای نوع-p‎/ فلز عادی/ فرومغناطیس ‎( f/n/p-wave sc)‎ بر پایه گرافن را با استفاده از معادله دیراک-بوگولیوبو...

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی CMOS OTA مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملک...

در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های al(x)ga(1-x)as/gaas, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در ای...

در این مقاله تحلیل و طراحی تغییر دهنده های فاز میکروالکترومکانیکی توزیع شده بر روی موجبر هم صفحه ارائه می شود. یک تغییر دهنده فاز n بیتی با استفاده از خازنهای متغیر یا سوئیچ mems که بطور متناوب بر روی موجبر هم صفحه واقع شده اند ساخته می شود. با تغییر ظرفیت توسط ولتاژ بایاس؛ خازن موثر خط انتقال تغییر کرده و در نتیجه یک ساختار آهسته کننده موج بوجود می آید. مدل دقیق تغییر دهنده فاز با استفاده از ت...

در این مقاله آرایشی جدید برای نوسان‌ساز کنترل‌شده با ولتاژ LC کلاس-C ارائه شده است که دارای مزیت شروع نوسان مناسب، کاهش نویز فاز و افزایش دامنه می‌باشد. استفاده هم‌زمان از دو روش خازن ورکتور با قابلیت تنظیم دیجیتالی و مدار تانک مرتبه چهار باعث شده که نوسان‌ساز کلاس-C پیشنهادی از نظر نویز فاز، عملکرد بسیار بهتری نسبت به سایر ساختارهای نوسان‌ساز LC داشته باشد. فیدبک دامنه به‌کاررفته در ساختار پیش...

این پژوهش به بررسی سازوکار ضربه با بهره گیری از ویژگی انقباض سریع یک سیم آلیاژ حافظه دار به عنوان یک محرکه جدید می پردازد. در این مقاله یک محرکه نمونه، شامل بدنه اصلی، بدنه اینرسی، یک سیم آلیاژ حافظه دار و یک فنر بایاس، طراحی و ساخته شده است. به منظور بررسی کاربرد این محرکه به عنوان دستگاه موقعیت دهی، آزمایش هایی تحت شرایط مختلف روی آن انجام شده است. نتایج آزمایشات نشان می دهد که این محرکه قادر...

این پژوهش به بررسی سازوکار ضربه با بهره‌گیری از ویژگی انقباض سریع یک سیم آلیاژ حافظه‌دار به‌عنوان یک محرکة جدید می‌پردازد. در این مقاله یک محرکة‌‌ نمونه، شامل بدنة اصلی، بدنة اینرسی، یک سیم آلیاژ حافظه‌دار و یک فنر بایاس، طراحی و ساخته شده است. به‌منظور بررسی کاربرد این محرکه‌‌ به‌عنوان دستگاه موقعیت‌دهی، آزمایش‌هایی تحت شرایط مختلف روی آن انجام شده است. نتایج آزمایشات نشان می‌دهد که این محرکه‌...

در این مقاله تحلیل و طراحی تغییر دهنده های فاز میکروالکترومکانیکی توزیع شده بر روی موجبر هم صفحه ارائه می شود. یک تغییر دهنده فاز n بیتی با استفاده از خازنهای متغیر یا سوئیچ MEMS که بطور متناوب بر روی موجبر هم صفحه واقع شده اند ساخته می شود. با تغییر ظرفیت توسط ولتاژ بایاس؛ خازن موثر خط انتقال تغییر کرده و در نتیجه یک ساختار آهسته کننده موج بوجود می آید. مدل دقیق تغییر دهنده فاز با استفاده از ...

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی CMOS OTA مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملک...

در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...