نتایج جستجو برای: ورودی گیت انتشار

تعداد نتایج: 29797  

پایان نامه :دانشگاه امام رضا علیه اسلام - دانشکده مهندسی 1393

مدارهای ترکیبی از گیت های منطقی تشکیل شده اند که خروجی در هرلحظه تنها به وسیله ترکیب فعلی ورودی و بدون لحاظ کردن ورودی های قبلی یا حالت قبلی خروجی تعیین می شود. منطق برگشت پذیر که به شکل جدی در دهه های اخیر موردتوجه قرارگرفته، ساخت مدارهایی در مقیاس نانو را بررسی می کند که علاوه بر مشکل اندازه و ابعاد مدار، مصرف توان و هدر رفت گرما در آن را نیز تحت کنترل خود دارد. یکی از کلیدی ترین مدارهای ترکی...

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
محمد آسیایی دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

دستیابی به کم‌ترین میزان انتشار آلاینده‌های شهری مستلزم مدیریت صحیح منابع آلاینده با هدف نزدیک شدن به سیستم  بهینه‌ی جریان ترافیک می‌باشد. مدیریت تردد از شیب‌راهه‌ها از طریق کنترل هوشمند جریان ورودی از جمله اقدامات تاثیرگذار مدیریت تقاضای حمل و نقل در پایداری جریان اصلی بزرگراه است. در این پژوهش سعی شده‌است تا با مدل‌سازی جریان ترافیک ورودی به بزرگراه صدر  شرایط پایدار و در نتیجه آلایندگی کمتر ...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
ترانه وظیفه شناس هادی رحمانی نژاد محمد براتی

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2013
ترانه وظیفه شناس, محمد براتی, هادی رحمانی نژاد

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد - دانشکده فنی 1393

طراحی فیزیکی یکی از دو مرحله اصلی طراحی مدارهای کوانتومی است که نت لیست مدار را به عنوان ورودی دریافت کرده و چینش نهایی در یک تکنولوژی خاص را تولید می کند. به دلیل مشخصات مناسب تله یونی، در این پایان نامه این تکنولوژی به عنوان تکنولوژی هدف انتخاب شده است. روش هایی که تاکنون برای ایجاد چینش در تکنولوژی تله یونی ارائه شده اند محدود به قرار گرفتن حداکثر سه کیوبیت در یک مکان گیت می شوند در صورتی که...

در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین به بررسی جریان با قطبش اسپینی در نقاط کوانتومی 24 و 54 اتمی فسفرینی شش‌گوشی با لبه‌ی زیگزاگ پرداخته‌ایم. با این فرض که تمام الکترون‌های ورودی به ساختار نقطه‌ی کوانتومی فسفرین دارای اسپین بالا باشند، با انتخاب مناسب میدان الکتریکی که از خارج توسط یک ولتاژ گیت کنترل می‌شود، می‌توان یک جریان خروجی با قطبش اسپینی دلخواه داشت به‌ویژه شرایطی وجود دارد که می‌تو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1391

در فوریه 2002 میلادی برای اولین بار توسط کمیسیون مرکزی مخابرات، باند فرکانسی3.1-10.6ghz به مخابرات uwb اختصاص داده شد. از آن پس دنیای سیستم های با پهنای باند بسیار عریض، به سرعت وارد تغییر و تحول شد. ویژگیهای جذاب این سیستم ها از جمله نرخ انتقال بسیار بالا و ظرفیت کانال بالا به دلیل پهنای باند فوق العاده زیاد، برای طراحان جالب توجه بود و از آن پس روزبروز به گسترش این استاندارد و طراحی سیستم های...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی گیت های منطقی بولی صوتی بر بستر بلورهای فونونی با روش چند موجبری ارائه شده است. برای طراحی این گیت ها از بسترهای فونونی سیلیکنی جهت مجتمع سازی با سایر ادوات اپتوالکترونیکی که یکی از مزایای این طرح نیز می باشد استفاده شده است. در ابتدا به مطالعه و بررسی انواع بلور فونونی و حوزه های مختلف فرکانس کاری و پارامترهای موثر بر رفتار آنها می پردازیم. پس از آن انواع رو...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید