. نمونه ها در دماهای مختلف 600 تا 1200 درجه ی سانتیگراد پخت شدند. طیف پراش اشعه ی ایکس نمونه ها نشان داد که نمونه های ساخته شده در دماهای پایین تر از 900 درجه ی سانتیگراد تک فاز نبوده و موارد متعددی از قله های ناخالصی در طیف آنها مشاهده شده است. نمونه های ساخته شده در دمای 900 درجه ی سانتیگراد و بالاتر در هر دو روش ساخت، سل ژل و edta، تقریباً تک فاز بودند. همچنین به منظور بررسی اثر اکسیژن بر روی...

در این پایان نامه ابتدا مروری بر اثر کاندو در فلزات و گرافین نرمال خواهیم داشت. در ادامه به بررسی رفتار خطی از ناخالصی مغناطیسی و اثر کاندو در گرافین فرومغناطیسی می پردازیم. با استفاده از روش اختلال و با بهره گیری از پتانسیل کاندو، دامنه و احتمال پراکندگی را به دست می آوریم. مشاهده می کنیم که برای الکترون هایی که پراکندگی همراه چرخش اسپین دارند و به طور عمود بر سطح ناخالصی فرود می آیند به احتما...

نمونه های آمورف با استفاده از روش فرونشانی مذاب تهیه شده اند. مطالعه رسانش الکتریکی جامدات آمورف و بویژه شیشه های اکسیدی یکی از زمینه های علمی مورد علاقه در فیزیک حالت جامد و علم مواد است. در این کار، مبتنی بر کاربردهای وسیع شیشه های اکسیدی فلزات واسطه، رسانش الکتریکی نمونه های حاضر در گستره دمایی296-180 درجه کلوین اندازه گیری شد و نتایج نشان می دهد که انرژی فعال سازی رسانش الکتریکی با افزایش ت...

در این پژوهش، نانوذرات مغناطیسی فریت کبالت با استفاده از روش تک مرحله‌ای رسوب‌دهی شیمیایی در دمای اتاق و زمان کمتر از یک ساعت تهیه شد. نانوذرات فریت کبالت با استفاده از نمک‌های کلرید آهن (III)، سولفاتکبالت و عامل رسوب دهنده آمونیوم تهیه شدند. ساختار و توزیع اندازه ذرات و مورفولوژی سطح این نانوذرات با استفاده از پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)...

در این تحقیق به­منظور بررسی تأثیر دمای تکلیس در ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در ذرات بسیار ریز (زیرمیکرومتری) ابررسانای دمای بالا hoba2cu3o7-δ، نمونه­هایی با استفاده از روش سیترات ژل در دماهای تکلیس متفاوت تهیه شده است. در این روش از نمک­های نیترات ho، ba و cu با خلوص بالا به عنوان مواد اولیه و از اسید سیتریک به عنوان عامل کمپلکس ساز استفاده شده است. تعیین فاز و بررسی خواص ساختاری نمونه­ها توسط الگو...

در این تحقیق به­منظور بررسی تأثیر دمای تکلیس در ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در ذرات بسیار ریز (زیرمیکرومتری) ابررسانای دمای بالا hoba2cu3o7-δ، نمونه­هایی با استفاده از روش سیترات ژل در دماهای تکلیس متفاوت تهیه شده است. در این روش از نمک­های نیترات ho، ba و cu با خلوص بالا به عنوان مواد اولیه و از اسید سیتریک به عنوان عامل کمپلکس ساز استفاده شده است. تعیین فاز و بررسی خواص ساختاری نمونه­ها توسط الگو...

تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی چاه کوانتومی بدون آلایش نیمرسانای نیتروژندار دارای جابه جایی قرمز- آبی– قرمز متوالی (رفتار s گونه) می باشد که این امر به جایگزیدگی اکسیتون ها در افت و خیزهای پتانسیل درچاه کوانتومی و یا فصل مشترک چاه و سد نسبت داده می شود. میزان آلایش سیلیکونی در سد، روی تغییرات دمایی انرژی قله طیف گسیلی (رفتار s گونه)، پهنای طیف اپتیکی گسیلی (fwhm) و همچنین انرژی گسیلی کل در ط...

در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری- فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی می­شود. با توجه به تقریب­های مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی ساده­ای برای گاز فرومغناطیسی می­کنیم. در این مدل فرض می­شود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت به ...

نیمرسانای ‏‎inas‎‏ از نیمرساناهای ترکیبی گروه ‏‎iii-v‎‏ است، که دارای گاف انرژی کوچکی نسبت به نیمرساناهای دیگر(بجز ‏‎insb‎‏) می باشد. از این ترکیب می توان در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، لیزرهای نیمرسانا و همچنین بعنوان ژنراتور هال برای اندازه گیری شدت مغناطیسی استفاده نمود. پیوند بین اتمهای این ترکیب از نوع یونی و کووالانسی است و از ‏‎sb‎‏ بعنوان ناخالصی دهنده در آن استفاده شده تا ترکیب مورد ن...

نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهمکنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می شود که نتیجه آن غیر سهمی بودن باند های انرژی است. پ...