نتایج جستجو برای: نوار مغناطیسی

تعداد نتایج: 9845  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
داود جسور d. m. z jassur

نورسنجی ستاره cyg v1584 از نوع ستارگان ap در سه نوار طول موجی u, b و v در یک دوره کامل ارایه شده است. با فرض اینکه تغییرات نوری مشاهده شده, به خاطر توزیع غیریکنواخت شدت نور در شیدسپهر ستاره باشد, دوره چرخشی ستاره تعیین شده است. با فرمولبندی لک ستاره ای, نشان داده شده است که یک منطقه دایروی که نسبت به شیدسپهر ستاره k 1900 داغتر بوده و در حدود %14.4 شیدسپهر را می پوشاند می تواند تغییرات نوری مشاه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه 1392

با توجه به طیف خطی انرژی گرافین اثرات ویژه و جالبی در آن مشاهده شده است که در این میان می توان به رسانندگی بسیار زیاد گرافین اشاره نمود. با اعمال یک میدان مغناطیسی عمودی به قسمتی از نوار کرافین می توان آن قسمت را به گرافین فرومغناطیس تبدیل کرد. کنترل ترابرد اسپین در گرافین فرومغناطیس با پتانسیل مغناطیسی در این پایان نامه مورد بحث خواهد بود. ترابرد الکترون در سد مغناطیسی بررسی می شود،

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک 1392

نیمرسانای اکسید قلع با گاف نواری پهن، به دلیل داشتن خواص الکتریکی و اپتیکی مطلوب، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. آلایش آن با عناصر واسطه مغناطیسی، منجر به استفاده از آن در صنایع اسپینترونیک می شود. در این پایان نامه خواص ساختاری، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی اکسیدقلع خالص و آلاییده با کبالت، آهن و منگنز، با استفاده از کد محاسباتی wien2k، مورد بررسی قرار گرفته است، برای محاسبات، تقریب های gga...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1392

در این پژوهش ما رفتار ناشی از آثار سطحی لبه های یک دستگاه نواری شکل ابررسانا را که در یک میدان مغناطیسی اعمالی متناوب عمود قرار گرفته بررسی می کنیم. توزیع میدان مغناطیسی و چگالی جریان الکتریکی را به دست می آوریم و با رسم منحنی مغناطش برای دستگاه هایی با تعداد نوار متفاوت، نشان می دهیم همانگونه که انتظار داریم افزوده شدن سد هندسی لبه به دستگاه می تواند مانع از تخلیه کامل شار مغناطیسی از دستگاه ش...

ژورنال: افق دانش 2016

اهداف: صرع از شایع‌ترین بیماری‌های اعصاب کودکان است که در یافتن اتیولوژی آن، روش تصویربرداری ارجح MRI (تصویربرداری تشدید مغناطیسی) است. از آنجایی که در بسیاری از مراکز MRI در دسترس نیست، لذا مطالعه حاضر با هدف مقایسه یافته­های سی‌تی­اسکن و MRI بدون تزریق مغز کودکان مبتلا به صرع انجام شد. ابزار و روش‌ها: در این مطالعه توصیفی- تحلیلی مقطعی، 160 کودک یک ماه تا 14 سال مبتلا به صرع مراجعه‌کننده به ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1393

در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است. برای غلبه بر این مشکل و ایجاد گاف درساختار الکترونی صفحه گرافین به نوار¬های باریک، نقاط کوانتومی و حلقه¬های کوانتومی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1389

چکیده ندارد.

ژورنال: :افق دانش 0
راضیه فلاح razieh fallah shahid sadoughi hospital, yazd, iranیزد ، بیمارستان شهید صدوقی هلیا فلاحتیان مهرجردی helia falahatian mehrjardi - رضا نفیسی مقدم reza nafisi moghadam shahid sadoughi hospital, yazd, iranیزد ، بیمارستان شهید صدوقی ماریا سپهری maria sepehri shahid sadoughi hospital, yazd, iranیزد ، بیمارستان شهید صدوقی

اهداف: صرع از شایع ترین بیماری های اعصاب کودکان است که در یافتن اتیولوژی آن، روش تصویربرداری ارجح mri (تصویربرداری تشدید مغناطیسی) است. از آنجایی که در بسیاری از مراکز mri در دسترس نیست، لذا مطالعه حاضر با هدف مقایسه یافته­های سی تی­اسکن و mri بدون تزریق مغز کودکان مبتلا به صرع انجام شد. ابزار و روش ها: در این مطالعه توصیفی- تحلیلی مقطعی، 160 کودک یک ماه تا 14 سال مبتلا به صرع مراجعه کننده به ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1393

تطبیق کننده¬های امپدانسی از اجزای مهم در مهندسی مایکروویو و طراحی آنتن به شمار می¬روند. به طور مثال در ورودی تقسیم کننده¬های توان موجبری و آنتن¬ها به چنین تطبیق کننده¬هایی نیاز است. در انتخاب شبکه تطبیق امپدانس توجه به مسائلی ازجمله ساده بودن ساخت، قابلیت تطبیق در پهنای باند زیاد، اندازه کوچک و قابل تنظیم بودن با تغییر بار، مهم است. تابه حال روش هایی ازجمله: استفاده از عناصر سلفی یا خازنی مانند...

ژورنال: :مهندسی صنایع و مدیریت 0
علی جزایری قره باغ گروه پژوهشی متالورژی، پژوهشکده توسعه ی تکنولوژی جهاد دانشگاهی

در این پژوهش تأثیر پارامترهای فرایند مذاب ریسی بر ابعاد و کیفیت ظاهری نوارهای نازک تولیدی از آلیاژ مغناطیسی )٪b(w t۲s i-۸f e-۸c o-۳۸n i- بررسی شد. طی چهار سری آزمایش مذاب ریسی تحت اتمسفر آرگن، پارامترهای سرعت خطی دیسک، فشار تزریق مذاب، زاویه ی نازل و قطر سوراخ نازل مورد بررسی قرار گرفتند. به منظور فراهم آوردن امکان مقایسه ی نتایج، در هر سری از آزمایش ها تنها پارامتر مورد بررسی تغییر داده شد و س...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید