بلورهای فوتونی، ساختارهای متناوب دی الکتریکی یا فلزی هستند که می توانند انتشار نور را کنترل کرده و رفتار آن را تحت تأثیر قرار دهند. وقتی که که مواد سازنده ی بلورهای فوتونی، خاصیت مغناطیسی داشته باشند و یا حداقل یک لایه در ساختارهای بلور فوتونی، مغناطیسی باشدبلورهای مگنتوفوتونی شکل می گیرند.استفاده از ساختار های بلور مگنتوفوتونی به منظور افزایش اثرات مگنتواپتیکی از سال 1996 آغاز شده و تاکنون مطا...

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...

بلور فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که به صورت مصنوعی ساخته شده اند و دارای ساختار نواری می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه می باشد. در سالهای اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار نور در مقیاس طول موج، بسیار مورد توجه است. در این میان موجبرهای بلور فوتونی، که از ایجاد یک نقص خطی در بلور فوتونی بدست می آید، از اهمیت زیادی در مدا...

در این مقاله، ویژگی‌های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می‌دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش‌های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت‌های خاص و معینی می‌تواند دارای ض...

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. بلورهای فوتونی از لایه های متناوب از مواد که ثابت دی الکتریک آنها باهم متفاوت هستند، تشکیل شده است. مشخصه ی اصلی بلورهای فوتونی، دوره ای بودن ثابت دی الکتریک در آنهاست. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه ی فرکانسی در بلور می شود، بطوریکه امواج الکترومغناطیسی ای که با فرکانس م...

بلورهای فوتونیکی ساختارهایی از مواد دی الکتریک هستند، که ضریب شکست در آن ها به صورت تناوبی تغییر می کند. از این ساختارها می توان در قسمت های اصلی وسیله های کنترل نور استفاده نمود، برای این منظور به بلور فوتونیکی دو بعدی از ستون های دی الکتریک مثلاً gaas نیازمندیم، با ایجاد نقصی در این بلور به عنوان مثال با حذف سه ستون در یک امتداد می توان یک کاواک l3 ایجاد نمود. نقص l3 اولین نوع از کاواک های بلو...

بلور نوری سیلیسیم- هوا یک بعدی، یک ساختار تناوبی شامل عناصر سیلیسیم با ضریب شکست 4/3 و هوا با ضریب شکست یک است. نوار گاف فوتونی درگستره ای از فرکانس است که نور نمی تواند از بلور نوری عبور کند. به علاوه اگر یک لایه نقص در ساختار نوری وارد شود مدهای نقص را در نوار گاف نوری خواهیم داشت. بلورهای مایع ، یا lc، با توجه به خاصیت شکست دوگانه و دارا بودن دو ضریب شکست عادی (no) و ضریب شکست غیرعادی (ne) و...

در این مطالعه ساختار الکترونی لوزوجهی (رمبوهدرال) 3O2α-Al مورد بررسی قرار گرفت. ساختار α- آلومینا متعلق به گروه فضایی  و لوزوجهی با دو واحد فرمولی (10 اتمی) در سلول واحد اولیه است. هرچند ساختاری که بیش­تر مورد استفاده قرار می‌گیرد، شش ­گوش ه­ای (هگزاگونال) شامل 12 اتم آلومینیم و 18 اتم اکسیژن، 6 واحد فرمولی است. نقش نقص ­ها در شبکه­ ی بلوری به­ خصوص نقص تهی­ جا در ا...

در این پایان نامه انتشار پالس نوری ضعیف کاوشگر در محیط بلور فوتونی یک بعدی مورد بحث قرار گرفته است و تغییرات سرعت انتشار نور در محیط از طریق پاشندگی، میزان جذب باریکه حین انتشار در محیط و اثر پارامتر های مختلف در انتشار پالس نوری داخل بلور فوتونی تحلیل و بررسی شده است. نشان داده شده است که اعمال تغییراتی در ساختار یک بلور فوتونی یک بعدی مانند وارد کردن لایه نقص، وارد کردن لایه نقص با اتم های دو...

In present study, the effect of different defect layer refractive indices and thicknesses on group velocity has been studied in one-dimensional photonic crystal. It is found that the increase of refractive index, number of defects and defect layer thickness will induce the decrease of group velocity. Taking advantage of these results, a novel technique has been introduced to tune and control th...