نتایج جستجو برای: نانو ماسفت دو گیتی فوق العاده نازک
تعداد نتایج: 303853 فیلتر نتایج به سال:
سوئیچ های نانوالکترومکانیک مشابه سوئیچ های نیمه هادی معمولی اند اما اصول عملکرد سوئیچ های نانوالکترومکانیک ونیمه هادی با هم متفاوت می باشد. با توجه به وضعیت بهینه ای که در فناوری سوئیچ های نانو الکترومکانیک وجود دارد می توان آنها را جایگزین فناوری نیمه هادی ها کرد. نکته قابل توجه در این فناوری این است که در ساختار سوئیچ های نانو الکترومکانیک نانولوله های کربنی نقش مهمی را ایفا می کنند چرا که د...
با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...
هدف از پژوهش حاضر، سنتز، ترکیب متوکسی آمیدو زانتات MAX و نشاندارسازی آن با رادیونوکلیید mTc99 به عنوان یک عامل تشخیصی نوین جهت تصویربرداری توموگرافی رایانهای تک فوتونی (SPECT) میباشد. لیگاند فوق واکنش بین دو مادهی کلرواستامید (Chloroacetamide) مشتقات (Xanthate) نسبتهای مولی معین سنتز شد. سپس فرایند طریق دوشیدن ژنراتور (mTc99Mo/99) روش مستقیم انجام گرفت. این ترتیب که قلع کلرید کاهنده مورد ...
شکایت و تجدید نظر از آرا دادگاه ها، اصولا طریقی برای سلامت و درستی آن است. رسیدگی ماهوی در دو مرحله دادرسی نخستین و تجدید نظر، درستی و صحت حکم دادگاه را به طور نسبی تضمین می کند و همین اندازه ، به حکم قطعی ، اثر اجرایی می بخشد. چهره دیگری از این بازنگری که پس از قطعیت حکم با درخواست محکوم علیه، خود را نشان می دهد، اعاده دادرسی است که فقط از مجرای جهات استثنایی و انحصاری به بار می نشیند. جهات اع...
در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که...
با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کرده ایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفت های کانال mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان می دهد که این رفتار را می توان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...
در این مقاله از لایه نازک حساس به نور هالید نقره برای ساخت توری پراش هولوگرافیک بازتابی استفاده شده است. ساخت قطعات اپتیکی هولوگرافیک بازتابی بر روی لایه نازک حساس به نور هالید نقره به خاطر نوارهای تداخلی فوق العاده ریز موجود در آن، مشکل است. مزیت اصلی این روش پردازش این است که ضبط با حساسیت بالا به کمک باریکه لیزر در ناحیه طیف مریی انجام میشود. بههمین دلیل در این مقاله یک روش پردازش بهینه بر...
طی دهه های اخیر، توجه تحقیقات علمی در سرتاسر جهان به سمت مطالعه رفتار مواد در مقیاس اتمی جلب شده است. در اکثر زمینه های علمی و مهندسی می توان اثری از نانوتکنولوژی یافت. هدف از علم نانو، طراحی و ساخت مواد نوین و کاربردی است. امروزه نانو علمی فراگیر است به نحوی که شیمی-دانان، فیزیک دانان، پزشکان، مهندسان، مدیران مالی و طرفداران محیط زیست در جهت ارتقای جامعه از طریق علم نانو با یکدیگر همکاری می ک...
سوئیچ های نانوالکترومکانیک مشابه سوئیچ های نیمه هادی معمولی اند اما اصول عملکرد سوئیچ های نانوالکترومکانیک ونیمه هادی با هم متفاوت می باشد. با توجه به وضعیت بهینه ای که در فناوری سوئیچ های نانو الکترومکانیک وجود دارد می توان آنها را جایگزین فناوری نیمه هادی ها کرد. نکته قابل توجه در این فناوری این است که در ساختار سوئیچ های نانو الکترومکانیک نانولوله های کربنی نقش مهمی را ایفا می کنند چرا که دا...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید